[发明专利]具有制造中可调的阈值电流的瞬变阻断单元

权利要求书

1.一种制造用于保护串联负载的瞬变阻断单元(TBU)的方法，所述方法包括：

提供第一耗尽型晶体管；

提供第二耗尽型晶体管；

彼此串联地连接所述第一和第二耗尽型晶体管，以当流过所述第一和第二晶体管的TBU电流超过第一电流阈值时，使所述第一和第二晶体管自动切换至高阻抗阻断状态；以及

在制造过程中修正所述TBU以调整所述第一电流阈值或调整所述TBU的TBU电阻。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一和第二耗尽型晶体管中的至少一个是具有多个源极-漏极对并具有器件级源极端子和器件级漏极端子的多段器件；以及

在制造过程中修正所述TBU包括使所述源极-漏极对中的一个或多个与所述器件级源极和漏极端子建立并联电气连接，以在制造过程中选择所述多段器件的导通电阻。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在制造过程中修正所述TBU包括：

提供与所述第一耗尽型晶体管和所述第二耗尽型晶体管串联的阻性修正电路，以及

在制造过程中选择所述阻性修正电路的电阻。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻性修正电路包括交替串联的一个或多个电阻器以及两个或更多个引线接触焊点。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻性修正电路包括串联的一个或多个电阻器，每个所述电阻器并联于保险丝。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电流阈值具有第一极性，并进一步包括：

提供第三耗尽型晶体管；

将所述第三耗尽型晶体管与所述第一和第二耗尽型晶体管串联，以使所述TBU电流可流过所述第一、第二和第三晶体管，并且当所述TBU电流超过具有与所述第一极性相反的第二极性的第二电流阈值时，使所述第一和第三晶体管自动切换至高阻抗阻断状态。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在制造过程中修正所述TBU以调整所述第二电流阈值。

8.一种用于保护串联负载的瞬变阻断单元(TBU)，所述TBU包括：

第一耗尽型晶体管；

第二耗尽型晶体管，其中所述第一和第二耗尽型晶体管彼此串联，以当流过所述第一和第二晶体管的TBU电流超过第一电流阈值时，使所述第一和第二晶体管自动切换至高阻抗阻断状态；以及

在制造过程中修正所述TBU以调整所述第一电流阈值或调整所述TBU的TBU电阻的装置。

9.如权利要求8所述的瞬变阻断单元，其特征在于，

所述第一和第二耗尽型晶体管中的至少一个是具有多个源极-漏极对并具有器件级源极端子和器件级漏极端子的多段器件；以及

所述用于修正的装置包括所述源极-漏极对中的一个或多个与所述器件级源极和漏极端子所建立的并联电气连接，籍此在制造过程中选择所述多段器件的导通电阻。

10.如权利要求8所述的瞬变阻断单元，其特征在于，

所述用于修正的装置包括与所述第一耗尽型晶体管和所述第二耗尽型晶体管串联的阻性修正电路；并且

在制造过程中能选择所述阻性修正电路的电阻。

11.如权利要求10所述的瞬变阻断单元，其特征在于，所述阻性修正电路包括交替串联的一个或多个电阻器以及两个或更多个引线接触焊点。

12.如权利要求10所述的瞬变阻断单元，其特征在于，所述阻性修正电路包括串联的一个或多个电阻器，每个所述电阻器并联于保险丝。

13.如权利要求8所述的瞬变阻断单元，其特征在于，还包括与所述第一和第二耗尽型晶体管串联的第三耗尽型晶体管，籍此所述TBU电流可流过所述第一、第二和第三晶体管；

其中所述第一电流阈值具有第一极性；以及

所述第三晶体管连接至所述第一晶体管，以当所述TBU电流超过具有与所述第一极性相反的第二极性的第二电流阈值时，使所述第一和第三晶体管自动切换至高阻抗阻断状态。

14.如权利要求13所述的瞬变阻断单元，其特征在于，还包括在制造过程中修正所述TBU以调整所述第二电流阈值的装置。