[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

-至少一个光学有源第一区域(112)，用于在至少一个发射方向上发 射电磁辐射(130)，以及

-至少一个光学有源第二区域(122)，用于在所述至少一个发射方向 上发射电磁辐射(130)，

其特征在于，

-第一区域(112)设置在第一层(110)中，而第二区域(122)设置 在第二层(120)中，其中第二层(120)在发射方向上设置在第一层(110) 之上，并且具有与第一区域(112)关联的第一穿通区域(124)，该第一 穿通区域至少部分对于第一区域(112)的电磁辐射(130)是能够透射的。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第二层(120) 在第一穿通区域(124)中具有至少一个凹处用于让第一层(110)的电磁 辐射(130)穿过。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，第二层(120) 包括金属材料，该金属材料在第一穿通区域(124)中具有至少一个凹处。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第二层(120) 在第一穿通区域(124)中具有至少一种透明的或者半透明的材料用于让 第一层(110)的电磁辐射(130)穿过。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 在第一层和第二层(110，120)之间设置有金属材料构成的至少一个层， 所述至少一个层在与第一区域(112)关联的第二穿通区域中具有至少一 个凹处。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 第一穿通区域(124)和第二区域(122)在空间中相邻并且形成相连接的 发射区域。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 至少第一层和第二层(110，120)设置在共同的壳体(570)中，并且壳 体(570)包括光学元件，该光学元件将第一区域和/或第二区域(112， 122)发射的电磁辐射(130)通过频率转换、弯曲、折射和/或滤光来进 行转换。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 第一区域和/或第二区域(112，122)构建为无衬底的半导体二极管结构 (210)。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，第一区域和/或 第二区域(112，122)构建为在所述发射方向上和在与其相反的方向上发 射电磁辐射(130)。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 在第一层和第二层(110，120)之间设置有至少一个冷却层(520)用于 将第一区域和/或第二区域(112，122)的热引出，所述冷却层至少在与 第一区域(112)关联的第二穿通区域中部分透明地构建。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，冷却层包括 至少部分以冷却液填充的空腔。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 第一区域和第二区域(112，122)在所述发射方向上相叠地设置。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 第一层和/或第二层(110，120)具有多个光学有源区域(112，122)用 于发射电磁辐射(130)，并且第一层(110)的每个光学有源区域(112) 与第二层(120)的第一穿通区域(124)关联。

14.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于， 半导体器件具有多个相叠设置的层(110，120，330，340，350)，所述多 个相叠设置的层分别带有至少一个光学有源区域(112，122，332，342， 352)用于发射电磁辐射(130)，其中在上方的每个层(120，330，340， 350)具有用于在其下的层(110，120，330，340)的电磁辐射(130)的 至少一个穿通区域(124)。

15.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

-制造第一层(110)，该第一层带有至少一个光学有源第一区域(112) 用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)，

-在壳体(570)中或者在支承体材料(140)上设置第一层(110)，

-制造第二层(120)，该第二层带有用于发射电磁辐射(130)的至少 一个光学有源第二区域(122)和至少一个透明的或者半透明的穿通区域 (124)，以及

-将第二层(120)设置在第一层(110)上，其中第二层(120)的穿 通区域(124)在穿通方向上设置在第一层(110)的第一区域(112)之 上。