[发明专利]硅光电倍增管能量分辨率

权利要求书

1.一种辐射探测器，包括：

第一闪烁体像素(312)；

第二闪烁体像素；

包括多个雪崩光电二极管的第一探测器(306)，其中该第一探测器产生作为由该第一闪烁体像素接收到的辐射的能量函数而变化的输出并在第一能量处提供最大能量分辨率；

包括多个雪崩光电二极管的第二探测器，其中该第二探测器产生作为由该第二闪烁体像素接收到的辐射的能量函数而变化的输出并在第二能量处提供最大能量分辨率；

2.权利要求1的辐射探测器，其中该第一探测器的雪崩光电二极管分组在多个基本上相同的探测器单元(316)中。

3.权利要求2的辐射探测器，其中该第一探测器包括正好4ⁿ个基本上相同的探测器单元，其中n为大于或等于一的整数。

4.通过包括下述过程产生的权利要求1的辐射探测器：

识别该第一能量；

配置该辐射探测器，使得响应于由该第一闪烁体像素接收到的并具有该第一能量的辐射，该第一探测器产生大约其饱和值的80％的输出。

5.权利要求1的辐射探测器，其中该辐射探测器包括耦合该第一闪烁体像素和该第一探测器的耦合器(304)，其中该辐射探测器是由这样的工艺产生的，该工艺包括配置该耦合器从而故意降低该第一探测器探测来自该第一闪烁体像素的光子的效率。

6.权利要求5的辐射探测器，其中该耦合器包括反射器以及配置包括降低该反射器的反射率。

7.权利要求1的辐射探测器，其中该辐射探测器包括第一像素尺寸以及耦合该第一闪烁体像素和该第一探测器的耦合器(304)，且其中该辐射探测器是由这样的工艺产生，该工艺包括：

从具有第二、相对较大像素尺寸的辐射探测器选择雪崩光电二极管单元设计，其中该单元设计由单元面积来表征；

配置该耦合器(304)以在该第一能量处提供最大能量分辨率。

8.权利要求1的辐射探测器，包括耦合该第一闪烁体像素和该第一探测器的电学可变滤波器(608，610)。

9.权利要求1的辐射探测器，其中该第一闪烁体像素包括辐射接收面(308)，该辐射探测器包括反射由该闪烁体像素产生的光子的反射器(602)，以及该反射器不反射在该辐射接收面的至少一部分处接收到的所产生的光子。

10.权利要求1的辐射探测器，其中该第一闪烁体像素包括辐射接收面(308)、由该闪烁体像素产生的光子通过其被传递到该第一探测器的面、和侧面，该辐射探测器包括反射由该第一闪烁体像素产生的光子的反射器(602)，其中该反射器不反射在该侧面的至少一部分处接收到的所产生的光子。

11.权利要求1的辐射探测器，其中该第一闪烁体像素包括辐射接收面、第一侧面和第二侧面，并响应于接收辐射而产生光子，其中该第一侧面包括第一相对具有光子反射性的材料以及第二侧面包括第二光子反射性相对不那么强的材料。

12.权利要求1的辐射探测器，其中该第一和第二能量大约为511keV。

13.权利要求1的辐射探测器，其中该第一和第二能量是不同的。

14.权利要求1的辐射探测器，其中该辐射探测器形成光谱仪或正电子发射探测器的一部分。

15.权利要求1的辐射探测器，其中该第一和第二探测器布置在同一半导体衬底上。

16.权利要求1的辐射探测器，其中该雪崩光电二极管被偏置在盖革模式中。

17.一种方法，包括：

使用包括多个雪崩光电二极管的第一探测器(306)来产生作为由第一闪烁体接收到的辐射的能量函数而变化的输出，其中该第一探测器在第一能量处具有最大能量分辨率；

使用包括多个雪崩光电二极管的第二探测器来产生作为由第二闪烁体接收到的辐射的能量函数而变化的输出，其中该第二探测器在第二能量处具有最大能量分辨率。

18.权利要求17的方法，其中该第一探测器的输出由饱和值来表征，且该方法包括响应于具有该第一能量的探测辐射而产生为约80％该饱和值的输出。