[发明专利]双栅氧化物器件集成

权利要求书

1.一种形成器件的方法，包括如下步骤：

在半导体衬底中形成第一区域和第二区域；

在第一区域之上形成半导体材料，其中，所述半导体材料具有与 所述半导体衬底不同的电特性；

在所述第一区域之上形成第一电介质材料；

在所述第一电介质材料之上和所述第二区域之上沉积第二电介 质材料，其中，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料；以 及

在所述第二电介质材料之上沉积栅电极材料。

2.权利要求1的方法，还包括：

在所述半导体衬底中形成第三区域和第四区域；其中：

在所述第一区域之上形成半导体材料的步骤还包括：在所述第三 区域之上形成所述半导体材料；

在所述第一区域之上形成第一电介质材料的步骤还包括：在所述 第四区域之上形成所述第一电介质材料；以及

在所述第一电介质材料之上和所述第二区域之上沉积第二电介 质材料的步骤还包括：在所述第三区域之上沉积所述第二电介质材料。

3.权利要求2的方法，其中，在所述第一区域之上形成半导体 材料的步骤还包括：外延地生长所述半导体材料。

4.权利要求1的方法，其中，沉积所述第一电介质材料的步骤 在750摄氏度与900摄氏度之间的温度下发生。

5.权利要求1的方法，还包括如下步骤：

用第一掺杂剂注入所述第一区域，其中，所述第一区域具有第一 导电性；以及

用第二掺杂剂注入所述第二区域，其中，所述第二区域具有第二 导电性，并且其中，所述第一导电性和所述第二导电性是相同的导电 性。

6.权利要求1的方法，还包括如下步骤：

用第一掺杂剂注入所述第一区域，其中，所述第一区域具有第一 导电性；以及

用第二掺杂剂注入所述第二区域，其中，所述第二区域具有第二 导电性，并且其中，所述第一导电性和所述第二导电性是不同的导电 性。

7.权利要求2的方法，还包括如下步骤：

用第一掺杂剂注入所述第一区域和所述第三区域，其中，所述第 一区域和所述第三区域具有第一导电性，以及

用第二掺杂剂注入所述第二区域和所述第四区域，其中，所述第 二区域和所述第四区域具有第二导电性，并且其中，所述第一导电性 不同于所述第二导电性。

8.权利要求1的方法，其中，形成半导体材料的步骤还包括： 形成包括选自锗和碳的材料的半导体材料。

9.权利要求8的方法，其中，形成半导体材料的步骤包括：形 成包括选自硅锗和硅碳的材料的半导体材料。

10.权利要求1的方法，其中，在所述第一区域之上形成第一电 介质材料的步骤还包括：沉积所述第一电介质材料。

11.权利要求1的方法，其中，所述第二电介质材料包括高介电 常数材料。

12.一种形成器件的方法，包括如下步骤：

在半导体衬底的第一区域中形成厚栅电介质器件，其中，所述厚 栅电介质器件具有第一沟道区且所述半导体衬底包括第一材料；

在半导体衬底的第二区域中形成薄栅电介质器件，

其中，所述薄栅电介质器件的栅电介质比所述厚栅电介质器件的 栅电介质薄，所述薄栅电介质器件具有第二沟道区，并且形成所述厚 栅电介质器件和所述薄栅电介质器件的步骤还包括：

在所述第一区域之上外延地生长所述第一沟道区，其中， 所述第一沟道区包括第二材料，其中，所述第二材料不同于所述 第一材料；

在所述第一沟道区之上形成第一栅电介质；

在所述第一栅电介质和所述第二区域之上形成第二栅电介 质；以及

在所述第二栅电介质之上沉积栅电极材料。

13.权利要求12的方法，其中，所述第二材料改变所述第一沟 道区相对于所述第二沟道区的带隙。