[发明专利]顶板以及使用了该顶板的等离子体处理装置无效
申请号: | 200880106109.6 | 申请日: | 2008-08-21 |
公开(公告)号: | CN101796615A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 石桥清隆;大见忠弘;后藤哲也;桶作正广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455;C23C16/511;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶板 以及 使用 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种顶板,设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容 器的顶部的开口部处,并由一个母材形成而被一体化,所述顶板包括:
多个气体通路,沿所述顶板的平面方向形成,并且在所述顶板的侧面 形成开口来作为所述多个气体通路的一端;以及
气体喷出孔,与所述多个气体通路连通并在所述顶板的面对所述处理 容器内部的第一面上开口。
2.如权利要求1所述的顶板,其中,
作为所述多个气体通路的一端而形成在所述顶板的侧面上的开口作为 气体入口,并且所述多个气体通路向所述顶板的中心部延伸。
3.如权利要求2所述的顶板,其中,
所述多个气体通路包括:
第一气体通路,朝向所述顶板的中心部形成为放射状;以及
第二气体通路,与所述第一气体通路平行地排列。
4.如权利要求1所述的顶板,其中,
所述开口被密封材料密封,
所述多个气体通路中的一个气体通路与所述多个气体通路中的至少一 个其他的气体通路连通,并在所述一个气体通路的端部、位于所述顶板的 周边部侧的端部处包括在所述顶板的所述第一面和与该第一面相对的第二 面中的一个面上开口的气体入口。
5.如权利要求4所述的顶板,其中,
所述多个气体通路对所述顶板设置成放射状,
所述一个气体通路在位于所述顶板的中心部侧的端部处与所述多个气 体通路中的至少一个其他的气体通路连通。
6.如权利要求4所述的顶板,其中,
所述多个气体通路包括:
第一组的气体通路,朝向所述顶板的中心部延伸;以及
第二组的气体通路,与所述第一组的气体通路连通。
7.如权利要求4所述的顶板,其中,
与所述多个气体通路连通的所述气体喷出孔被分组化为位于所述顶板 的内周侧的第一分区的气体喷出孔、以及位于所述顶板的外周侧的第二分 区的气体喷出孔,
与所述第一分区的气体喷出孔连通的多个气体通路设置成放射状,并 在位于所述顶板的中心部侧的端部处相互连通,
与所述第二分区的气体喷出孔连通的多个气体通路包括朝向所述顶板 的中心部延伸的第一组的气体通路、以及与该第一组的气体通路连通的第 二组的气体通路。
8.如权利要求4所述的顶板,其中,
与所述多个气体通路连通的所述气体喷出孔被分组化为位于所述顶板 的内周侧的第一分区的气体喷出孔、以及位于所述顶板的外周侧的第二分 区的气体喷出孔,
与所述第一分区的气体喷出孔连通的所述多个气体通路包括朝向所述 顶板的中心部延伸的第一组的气体通路、以及与该第一组的多个气体通路 连通的第二组的气体通路,
与所述第二分区的气体喷出孔连通的所述多个气体通路包括朝向所述 顶板的中心部延伸的第一组的气体通路、以及与该第一组的多个气体通路 连通的第二组的气体通路。
9.如权利要求1所述的顶板,其中,
与所述多个气体通路连通的气体喷出孔被分组化为位于所述顶板的内 周侧的第一分区的气体喷出孔、以及位于所述顶板的外周侧的第二分区的 气体喷出孔,
所述多个气体通路中的一部分气体通路与所述第一分区和所述第二分 区中的一个分区的气体喷出孔连通,在一端处在所述顶板的侧面上开口来 作为气体入口,并向所述顶板的中心部延伸,
其他的气体通路包括与另一个分区的气体喷出孔连通并朝向所述顶板 的中心部延伸的第一组的气体通路、以及与该第一组的多个气体通路连通 的第二组的气体通路。
10.如权利要求1所述的顶板,其中,
在所述气体喷出孔中安装有具有透气性的多孔质的电介质。
11.如权利要求1所述的顶板,其中,
在所述气体喷出孔中安装有具有细孔的陶瓷部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造