[发明专利]用于流体的化学分析的方法和设备有效
申请号: | 200880106161.1 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN101796402A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | L·R·阿尔布;H·周;J·施米朱 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/02 | 分类号: | G01N27/02;G01N27/416 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李亚非;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 流体 化学分析 方法 设备 | ||
技术领域
本发明涉及用于测量存在于流体中的化学成份浓度的系统、装置 和方法,更具体而言涉及用于电化学测量分析物浓度的系统、装置和 方法。
背景技术
流体中分析物的化学浓度可通过将分析物的存在转换为可测量 物理参数来测量。例如,分析物溶液的浓度可以经由诸如光谱法、色 谱法、量热法或者光学荧光的技术来确定。
另外的浓度测量技术涉及探测分析物溶液的电学特性。一些这样 的技术涉及电量测定法。其它涉及电流、电压和/或电势滴定。许多 这样的技术能够达成高准确度、速度(例如吞吐量)以及效率。遗憾的 是,实施这些技术所需的设备会趋于庞大且笨重。结果,这些设备的 使用典型地限制在实验室环境,且寻求经由测量电学特性来进行浓度 确定的本领域技术人员经常面临很少的有吸引力的选择。
尽管迄今为止所做出了努力,仍然需要用于分析物浓度的电化学 测量的有效方法和系统,特别是用于在便携性和现场可用性方面进行 了额外投入的应用。这些和其它需要是由此处公开的方法和系统来满 足的。
发明内容
根据此公开内容,提供了用于流体的电化学分析的设备和方法。
在此公开内容的实例性实施例中,提供了一种设备,该设备包括: 腔体,具有用于容纳一定体积的受测试流体的深度维度;第一电极, 布置在所述腔体内且在所述腔体内沿着所述深度维度延伸;第二电 极,布置在所述腔体内且在所述腔体内沿着所述深度维度按与所述第 一电极横向分隔方式延伸;以及可溶性固体,布置在所述第一和第二 电极之间的所述腔体内,从而基本上完全占据第一和第二电极之间的 横向间隙至所述深度维度至少一部分的程度。可溶性固体在所述流体 中的溶解速率至少部分地依赖于存在于所述流体中溶液内的相应分 析物的化学浓度。
还提供了一种用于流体的电化学分析的方法。在此公开内容的实 例性实施例中,该方法包括:将可溶性固体暴露到流体;测量可溶性 固体在流体中的溶解速率;以及基于所测量的溶解速率,确定流体中 溶液内存在的相应分析物的化学浓度。
所公开的用于流体电化学分析的设备和方法的附加有利特征、功 能和应用在特别当结合附图来阅读时将根据后续描述而显而易见。
附图说明
参考附图以辅助本领域技术人员制作和使用所公开的系统和方 法,其中:
图1为依据此公开内容的分析物浓度测量工具的实施例的示意 图;
图2为依据此公开内容的可用于制作图1测量工具的CMOS管 芯的向下透视图;
图3为依据此公开内容的图2CMOS管芯在经由在其上缘形成金 属性接触图案的改进之后的俯视平面图;
图4为沿图3所示剖面线4--4截取的图3改进CMOS管芯的剖 面图;
图5为图3改进的CMOS管芯的向下透视图;
图6为依据此公开内容的图3改进的CMOS管芯,在经由在其 金属性接触图案的顶上形成成对电极阵列的进一步改进之后的俯视 平面图;
图7为沿图6所示剖面线7--7截取的图6改进的CMOS管芯的 剖面图;
图8为图6改进CMOS管芯的向下透视图;
图9为依据此公开内容的图6改进的CMOS管芯在经由在其成 对电极阵列的顶上形成电介质材料层的进一步改进之后的俯视平面 图;
图10为沿图9的剖面线10--10截取的图9改进的CMOS管芯的 剖面图;
图11为图9改进CMOS管芯的向下透视图;
图12为依据此公开内容的图9改进的CMOS管芯在用聚合物材 料填充其圆柱形腔体以及关联的退火以形成图1分析物浓度测量工 具的实施例之后的俯视平面图;
图13为图12分析物浓度测量工具的剖面图;
图14为依据此公开内容的图12分析物浓度测量工具的流体-聚 合物填充的圆柱体的剖面图;
图15为依据此公开内容的图12分析物浓度测量工具的流体填充 的圆柱体的剖面图;
图16为对应于图14的流体-聚合物填充的圆柱体的实例性电学 电路的示意图;以及
图17为对应于图15的流体填充圆柱体的实例性电学电路的示意 图。
图18为实例性电学电路的示意图。
具体实施方式
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