[发明专利]具有同步续流MOSFET的增压和上下开关调节器有效
申请号: | 200880106163.0 | 申请日: | 2008-04-21 |
公开(公告)号: | CN101796708A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 理查德·K·威廉斯 | 申请(专利权)人: | 先进模拟科技公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 同步 mosfet 增压 上下 开关 调节器 | ||
1.一种DC/DC转换器,包括:
在第一电源电压和第二电源电压之间的串联传导路径中连接的电感器和 低压侧开关,电感器耦接到第一电源电压,并且低压侧开关耦接到第二电源 电压,Vx节点位于电感器和低压侧开关之间的串联传导路径中;
能量传递开关,其连接在Vx节点和转换器的输出端子之间;以及
与电感器并联连接的续流开关,该续流开关包括体偏置生成器,体偏置 生成器耦接到续流MOSFET的源极、漏极、以及体中的每一个,体偏置生成 器被适配为响应于分别存在于续流MOSFET的源极和漏极处的电压之间的关 系,将续流MOSFET的体与源极和漏极之一短接,以阻止续流MOSFET中 的任何P-N结变为正向偏置。
2.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中所述能量传递开关包括二 极管。
3.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中体偏置生成器包括耦接在 续流MOSFET的体和漏极之间的第一体偏置MOSFET、以及耦接在续流 MOSFET的体和源极之间的第二体偏置MOSFET,第一体偏置MOSFET的 栅极耦接到续流MOSFET的源极,以及第二体偏置MOSFET的栅极耦接到 续流MOSFET的漏极。
4.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其包括与续流MOSFET并联连 接的电压箝位电路,电压箝位电路包括与箝位开关串联连接的箝位二极管。
5.如权利要求4所述的DC/DC转换器,其中电压箝位电路包括与箝位 二极管串联连接并且与箝位开关并联连接的阻塞二极管,将阻塞二极管和箝 位二极管定向,以阻止电流在包括阻塞二极管和箝位二极管的串联路径中任 一方向的流动。
6.如权利要求5所述的DC/DC转换器,其中箝位开关包括箝位 MOSFET,并且还包括耦接到箝位MOSFET的栅极的栅极驱动电路,栅极驱 动电路被适配以响应于第一电源电压和输出端子处的电压之间的关系来控制 箝位MOSFET的栅极。
7.一种DC/DC转换器,包括:
在第一电源电压和第二电源电压之间的串联传导路径中连接的电感器和 低压侧开关,电感器耦接到第一电源电压,并且低压侧开关耦接到第二电源 电压,Vx节点位于电感器和低压侧开关之间的串联传导路径中;
能量传递开关,其连接在Vx节点和转换器的输出端子之间;以及
与电感器并联连接的续流开关,包括续流MOSFET,
其中能量传递开关包括能量传递MOSFET和体偏置生成器,体偏置生成 器耦接到能量传递MOSFET的源极、漏极、以及体中的每一个,体偏置生成 器被适配为响应于分别存在于能量传递MOSFET的源极和漏极处的电压之间 的关系,将能量传递MOSFET的体与源极和漏极之一短接,以阻止能量传递 MOSFET中的任何P-N结变为正向偏置。
8.如权利要求7所述的DC/DC转换器,其中体偏置生成器包括耦接在 能量传递MOSFET的体和漏极之间的第一体偏置MOSFET、以及耦接在能量 传递MOSFET的体和源极之间的第二体偏置MOSFET,第一体偏置MOSFET 的栅极耦接到能量传递MOSFET的源极,以及第二体偏置MOSFET的栅极 耦接到能量传递MOSFET的漏极。
9.如权利要求8所述的DC/DC转换器,其包括与能量传递MOSFET 并联连接的电压箝位电路,电压箝位电路包括与箝位开关串联连接的箝位二 极管。
10.如权利要求9所述的DC/DC转换器,其中电压箝位电路包括与箝位 二极管串联连接并且与箝位开关并联连接的阻塞二极管,将阻塞二极管和箝 位二极管定向,以阻止电流在包括阻塞二极管和箝位二极管的串联路径中任 一方向的流动。
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