[发明专利]采用铁、钌或锇环戊二烯一氧化碳络合物通过CVD或ALD形成含金属的薄膜的方法

权利要求书

1.通过原子层沉积形成含金属的薄膜的方法，该方法包含将至 少一种前体送递到基材，其中所述前体在结构上对应于式II：

Cp(R)_nM(CO)₂(X)

(式II)

其中：

M是Ru；

R是C₁-C₁₀-烷基；

X是C₁-C₁₀-烷基；

n是零、1、2、3、4或5，和

Cp是与过渡金属结合的环戊二烯基配位体(C₅H₅)。

2.权利要求1的方法，其中所述至少一种前体在结构上对应于 式II，其中：

M是Ru；

R是甲基、乙基、丙基或丁基；

X是甲基、乙基、丙基或丁基；和

n是零、1或2。

3.权利要求1的方法，其中所述至少一种前体在结构上对应于 式II，其中：

M是Ru；

R是甲基或乙基；

X是甲基或乙基；和

n是零或1。

4.权利要求1的方法，其中在结构上对应于式II的所述至少一 种前体选自由下列组成的组：

(环戊二烯基)钌(甲基)(二羰基)；

(环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)；

(甲基环戊二烯基)钌(甲基)(二羰基)；

(乙基环戊二烯基)钌(甲基)(二羰基)；

(丙基环戊二烯基)钌(甲基)(二羰基)；

(丁基环戊二烯基)钌(甲基)(二羰基)；

(甲基环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)；

(乙基环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)；

(丙基环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)；和

(丁基环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)。

5.权利要求1的方法，其中在结构上对应于式II的所述至少一 种前体选自由下列组成的组：

(环戊二烯基)钌(甲基)(二羰基)；和

(环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)。

6.权利要求1的方法，其中在结构上对应于式II的所述至少一 种前体是(环戊二烯基)钌(乙基)(二羰基)。

7.权利要求1的方法，其中所述原子层沉积是光辅助的原子层 沉积。

8.权利要求1的方法，其中所述原子层沉积是液体注射原子层 沉积。

9.权利要求1的方法，进一步包含将至少一种适当的共反应剂 送递到基材，所述共反应剂选自由下列组成的组：氢、氢等离子体、 氧、空气、水、氨、肼、烯丙基肼、硼烷、硅烷、臭氧及其组合。

10.权利要求1的方法，其中以脉冲的形式将所述至少一种前体 送递到所述基材，与氧源的脉冲交替进行。

11.权利要求10的方法，其中所述氧源选自H₂O、O₂或臭氧。

12.权利要求1的方法，其中将所述含金属的薄膜用于存储器和 逻辑应用。

13.通过化学蒸气沉积形成含金属的薄膜的方法，该方法包含将 至少一种前体送递到基材，其中所述前体在结构上对应于式II： Cp(R)_nM(CO)₂(X)

(式II)

其中：

M是Ru；

R是C₁-C₁₀-烷基；

X是C₁-C₁₀-烷基；

n是0、1、2、3、4或5，和Cp是与过渡金属结合的环戊二烯基 配位体(C₅H₅)。