[发明专利]具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构

权利要求书

1.一种离子植入机，其特征在于包括：

离子源，配置成提供离子束；

终端结构，定义一空腔，所述离子源至少部分地设置于所述空腔内；

绝缘导体，包括设置于绝缘体内的导体，所述绝缘导体具有至少一介 质鳍片，所述介质鳍片设置于所述终端结构的外部附近以改变电场。

2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的绝缘导 体配置成被赋能至第一电压，并且所述终端结构配置成被赋能至所述第一 电压。

3.根据权利要求2所述的离子植入机，其特征在于其中所述的第一电 压为至少400kV。

4.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其还包括耦接至所 述终端结构和所述绝缘导体的托架，所述托架配置成将所述绝缘导体支撑 于所述外部附近。

5.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的终端结 构的所述外部包括所述终端结构的顶部边缘的周边及所述终端结构的底部 边缘的周边，并且所述绝缘导体包括设置于所述顶部边缘周边附近的顶部 绝缘导体以及设置于所述底部边缘周边附近的底部绝缘导体。

6.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的绝缘体 包括定义一内部的管状构件，所述导体设置于所述内部内。

7.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的绝缘体 包括氯化聚氯乙烯(CPVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯三氟氯乙烯(ECTFE)、 聚四氟乙烯(PTFE)、聚酰亚胺或硅复合泡沫。

8.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的至少一 介质鳍片包括设置于所述终端结构的所述外部附近的第一介质鳍片和第二 介质鳍片。

9.根据权利要求8所述的离子植入机，其特征在于其中所述的终端结 构的所述外部包括所述终端结构的第一侧及所述终端结构的第二侧，并且 所述第一介质鳍片设置于所述终端结构的所述第一侧附近以及所述第二介 质鳍片设置于所述终端结构的所述第二侧附近。

10.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的至少 一介质鳍片包括设置于所述终端结构的所述外部附近的第一介质鳍片、第 二介质鳍片及第三介质鳍片。

11.根据权利要求10所述的离子植入机，其特征在于其中所述的第一 介质鳍片、所述第二介质鳍片及所述第三介质鳍片设置于所述终端结构的 一侧附近。

12.根据权利要求10所述的离子植入机，其特征在于其中所述的第一 介质鳍片、所述第二介质鳍片及所述第三介质鳍片中的至少一个以不同长 度来制造。

13.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于其中所述的至少 一介质鳍片包括绕所述绝缘导体的周向表面而分布的多个介质鳍片。

14.根据权利要求13所述的离子植入机，其特征在于其中所述的多个 介质鳍片绕所述绝缘导体的所述周向表面而均匀地分布。

15.根据权利要求13所述的离子植入机，其特征在于其中所述的多个 介质鳍片绕所述绝缘导体的所述周向表面而非均匀地分布。

16.一种改良离子植入机稳健性的方法，其特征在于其包括以下步骤：

从离子源产生离子束；

利用设置于终端结构的外部附近的具有至少一介质鳍片的绝缘导体来 改变电场，所述绝缘导体包括设置于绝缘体内的导体。

17.根据权利要求16所述的改良离子植入机稳健性的方法，其特征在 于其中改变所述电场包括利用所述具有至少一介质鳍片的绝缘导体来改变 切向电场。

18.根据权利要求16所述的改良离子植入机稳健性的方法，其特征在 于其中改变所述电场还包括利用所述具有至少一介质鳍片的绝缘导体来增 加追踪距离。