[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 200880106523.7 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101796613A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人;饭洼阳一;山本孔明;牧野贤一郎;下村明久;比嘉荣二;沟井达也;永野庸治;井坂史人;挂端哲弥;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，包括：
绝缘衬底上的绝缘层；
所述绝缘层上的接合层；以及
所述接合层上的单晶半导体层，
其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的算术平均粗 糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘层包含氧氮 化硅膜或氮氧化硅膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具 有(100)面作为主表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具 有(110)面作为主表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹凸形状的各凹部或凸部的宽度的平均值为大于或 等于60nm且小于或等于120nm，
并且，所述各凹部或凸部的宽度是以平均高度测量的。
6.一种半导体装置，包括：
容许温度极限为700℃或以下的衬底；
所述衬底上的绝缘层；
所述绝缘层上的接合层；以及
所述接合层上的单晶半导体层，
其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的算术平均粗 糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述衬底为包含铝硅 酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃或钡硼硅酸盐玻璃中任何的玻璃衬底。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述绝缘层包含氧氮 化硅膜或氮氧化硅膜。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具 有(100)面作为主表面。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层 具有(110)面作为主表面。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述凹凸形状的各凹部或凸部的宽度的平均值为大于或 等于60nm且小于或等于120nm，
并且，各凹部或凸部的宽度是以平均高度测量的。
12.一种使用根据权利要求1所述的半导体装置的电子设备。
13.一种使用根据权利要求6所述的半导体装置的电子设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
