[发明专利]基板载置机构和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在成膜装置等的基板处理装置中，在处理容器内载置半导体晶片等的基板、具有进行加热的加热体的基板载置机构，具备该基板载置机构的基板处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造中，存在对作为被处理基板的半导体晶片实施CVD成膜处理的工序。在该处理时，作为被处理基板的半导体晶片被加热至规定的温度，但该加热一般使用兼做基板载置台的加热板(也称为台式加热器)。这样的一般的加热板记载于日本特开平10-326788号公报中。

对于CVD成膜处理，理想情况是仅在半导体晶片上堆积膜。但是，在现实中，膜也会被堆叠在对半导体晶片加热的加热板上。这是因为加热板自身达到成膜温度以上。堆叠在加热板上的膜，受到腔室、加热器升降温的影响，反复进行热膨胀和收缩。由于这种反复，在堆积的膜蓄积热应力，于是发生膜剥离，成为微粒产生的原因。腔室内的微粒的产生，成为半导体器件的制造成品率恶化的原因之一。

发明内容

本发明的目的在于，提供能够抑制膜堆叠的基板载置机构，以及具备该基板载置机构的基板处理装置。

本发明的第一实施方式的基板载置机构，具备：加热板，该加热板具有被处理基板载置面，埋设有将上述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备第一升降销插通孔，该第一升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；调温套，该调温套被形成为至少覆盖上述加热板的被处理基板载置面以外的表面，温度为不足上述成膜温度的非成膜温度，并具备第二升降销插通孔，该第二升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；第一升降销，该第一升降销插通于上述第一升降销插通孔，具备能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部；和第二升降销，该第二升降销插通于上述第二升降销插通孔，具备能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。

本发明的第二实施方式的基板处理装置，具备：基板载置机构、收容上述基板载置机构的腔室和对被处理基板实施成膜处理的成膜处理部，其中，上述基板载置机构具备：加热板，该加热板具有被处理基板载置面，埋设有将上述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备第一升降销插通孔，该第一升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；调温套，该调温套被形成为至少覆盖上述加热板的被处理基板载置面以外的表面，温度为不足上述成膜温度的非成膜温度，并具备第二升降销插通孔，该第二升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；第一升降销，该第一升降销插通于上述第一升降销插通孔，具备能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部；和第二升降销，该第二升降销插通于上述第二升降销插通孔，具备能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。

附图说明

图1为概略地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的一例的截面图。

图2为被处理基板的温度与堆积率的关系的示意图。

图3A为表示比较例的截面图。

图3B为表示比较例的截面图。

图4A为表示实施方式的截面图。

图4B为表示实施方式的截面图。

图5A为表示参考例的截面图。

图5B为表示参考例的截面图。

图5C为表示参考例的截面图。

图6为图1中的椭圆框A的扩大截面图。

图7A为图6中的框B的扩大截面图。

图7B为如图7A所示的截面的温度分布的示意图。

图8为表示升降销上升时的一例的截面图。

图9为表示升降销上升时的其他例子的截面图。

图10为概略地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的一例的截面图。

图11为概略地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的一例的截面图。

图12为扩大表示加热板与隔热材料的接合部附近的截面图。

图13为扩大表示加热板与隔热材料的接合部附近的截面图。