[发明专利]基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板载置机构、具备该基板载置机构的基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法以及存储介质。上述基板载置机构具有在成膜装置等的基板处理装置中，在处理容器内载置半导体晶片等被处理基板并进行加热的加热体。 

背景技术

在半导体器件的制造中，存在对作为被处理基板的半导体晶片实施CVD成膜处理的工序。在进行该处理时，将作为被处理基板的半导体晶片加热至规定的温度，在该加热时，一般使用兼用作基板载置台的加热器板(又称为台(stage)加热器)。这种一般的加热器板，在日本特开平10-326788号公报中被公开。 

理想的CVD成膜处理，仅在半导体晶片上堆积形成膜。然而，在实践中，在加热半导体晶片的加热器板上也堆积形成膜。这是因为加热器板本身的温度在成膜温度以上。堆积于加热器板上的膜受到腔室和加热器的升温降温的影响，反复进行热膨胀和收缩。由于这种反复，会导致在被堆积的膜积蓄热应力，最终发生膜剥落而成为产生微粒的原因。腔室内的微粒的产生，是造成半导体器件的制造成品率恶化的一个原因。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够抑制膜的堆积的基板载置机构、具备该基板载置机构的基板处理装置、抑制基板载置机构上的膜堆积的方法、和使具备上述基板载置机构的基板处理装置动作的存储介质。 

本发明的第一方式的基板载置机构包括：加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。 

本发明的第二方式的基板处理装置包括：基板载置机构；收纳上述基板载置机构的腔室；和对上述被处理基板实施成膜处理的成膜处理部，其中上述基板载置机构包括：加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。 

本发明的第三方式的抑制膜堆积的方法，其抑制膜在基板载置机构上的堆积，上述基板载置机构具备加热器板，上述加热器板具有被处理基板载置面，并且埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体，上述抑制膜堆积的方法，用调温护套至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面，通过埋设于上述加热器板的加热体将上述加热器板的被处理基板载置面加热至堆积形成膜的成膜温度，使上述调温护套的温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。 

本发明的第四方式的存储介质，其存储有在计算机上动作，对基板处理装置进行控制的程序，该基板处理装置包括：加热器板，其埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且具有温度调节装置，上述程序在执行时，使计算机对上述基板处理装置进行控制，使得通过埋设于上述加热器板的加热体将上述加热器板的被处理基板载置面加热至堆积形成膜的成膜温度，而使上述调温护套成为低于上述成膜温度的非成膜温度。 

附图说明

图1概略地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。 

图2是表示调温护套的变形例的截面图。 

图3是表示调温护套的变形例的截面图。 

图4是表示调温护套的变形例的截面图。 

图5是表示绝热件的变形例的截面图。 

图6是表示被处理基板的温度与堆积率的关系的图。 

图7A是表示比较例的截面图。 

图7B是表示比较例的截面图。 

图8A是表示实施方式的截面图。 

图8B是表示实施方式的截面图。 

图9是概略地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。 

图10是概略地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。 

图11是放大地表示加热器板与绝热件的接合部附近的截面图。 

图12是放大地表示加热器板与绝热件的接合部附近的截面图。 

图13是放大地表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的加热器板与绝热件的接合部附近的截面图。 

图14是概略地表示本发明的第五实施方式的基板处理机构的一个例子的截面图。