[发明专利]蚀刻后聚合物残留除去方法

权利要求书

1.一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法，包含：

确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式 快速化学物质，该干式快速化学物质被配置为选择性地除去 区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中 穿过低k电介质膜层形成特征，该干式快速化学物质是由干 式清洁化学物质组成的；

以介于5毫托至40毫托的压强使用短快速处理施用确 定的干式快速化学物质到该衬底表面上，其中，短快速处理 定义为将该衬底表面暴露于该干式快速化学物质持续介于3 秒至20秒的短暴露时间，干式快速化学物质的该短快速施 用能够除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分；以及

向该衬底表面施用湿式清洁化学物质，该湿式清洁化学 物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后 聚合物残留。

2.如权利要求1所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该干式快速化学物质的施用跟随蚀刻操作以便 最小化清洁周期时间。

3.如权利要求1所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该干式快速化学物质是根据由多个参数限定的 蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留的特征方面选择的。

4.如权利要求3所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该干式快速化学物质的施用是使用多个参数控 制的以最小化对低k材料和在该低k材料中形成的特征的损 害。

5.如权利要求1所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该干式快速化学物质使用氧化处理或还原处理 中的一种来除去该蚀刻后聚合物残留。

6.如权利要求5所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该干式快速化学物质是低压干式气并且是氧、 二氧化碳、氨、氮气、氢、乙烯、甲烷或其结合中的任一种。

7.如权利要求1所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中选择该湿式清洁化学物质以便防止对在该衬底 中形成的特征以及该特征周围的电介质膜的损害。

8.如权利要求6所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该湿式清洁化学物质是氟化氢或氟化铵或其结 合中的一种。

9.如权利要求1所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留 的方法，其中该聚合物残留包括含碳的有机化合物。

10.一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的系统，包含：

在环境可控室中接收并支撑该衬底的衬底支撑装置，该 衬底支撑装置被配置为在该环境可控室中接收并沿着一个 平面移动该衬底；以及

在环境可控室中配置的快速化学物质施用器，以使用短 快速处理以介于5毫托至40毫托的压强向该衬底表面施用 干式快速化学物质，其中，短快速处理包括将该衬底表面暴 露于该干式快速化学物质持续介于3秒至20秒的短暴露时 间，该快速化学物质施用器具有控制器以控制该干式快速化 学物质的流动，干式快速化学物质的短施用能够基本上除去 区域中蚀刻操作留下的聚合物残留，其中，特征是在该衬底 表面上形成的；

其中该干式快速化学物质是根据蚀刻操作留下的聚合 物残留的特征方面选择的，该干式快速化学物质的特征方面 由多个参数限定。

11.如权利要求10所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残 留的系统，其中该快速化学物质施用器控制器可通信地连接 到计算系统，该计算系统管理控制该干式快速化学物质向该 环境可控室的流动的多个参数。

12.如权利要求11所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残 留的系统，其中该快速化学物质施用器通过在该环境可控室 中配置的开口将该干式快速化学物质引入该环境可控室。

13.如权利要求10所述的用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残 留的系统，其中该系统进一步包括一个开口以将蚀刻化学物 质引入该衬底表面以便在该衬底表面上蚀刻出特征，该蚀刻 是在该短快速处理之前执行的。