[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效
申请号: | 200880107275.8 | 申请日: | 2008-09-17 |
公开(公告)号: | CN101802716A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | Y·J·G·范德维杰威;T·A·R·范因佩尔;J·B·P·范斯库特;G·H·P·M·斯温克尔斯;H·G·诗密尔;D·莱伯斯克依 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H05G2/00;G21K1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
1.一种光刻设备,所述光刻设备被布置以将图案从图案形成装置投影 到衬底上,所述光刻设备包括:
照射系统,所述照射系统被配置以调节来自辐射源的辐射,所述照射 系统具有背离所述辐射源的内壁和面向所述辐射源的外壁,所述内壁和外 壁具有开孔,以允许来自所述辐射源的辐射穿过进入所述照射系统;
出口,所述出口设置在所述开孔处或所述开孔附近,且所述出口设置 在所述照射系统的所述内壁和所述外壁之间,或如果所述光刻设备包括所 述辐射源,则所述出口设置在所述照射系统的内壁和面向所述辐射源且靠 近所述照射系统的所述内壁的所述辐射源的内壁之间;
抽吸系统,所述抽吸系统被配置以通过所述出口从所述照射系统和/ 或所述辐射源抽出气体;和
支撑结构,所述支撑结构被构造以保持所述图案形成装置,所述图案 形成装置能够在所述辐射的横截面中将图案赋予所述辐射,以形成图案化 的辐射束,
所述的光刻设备还包括抑制流动系统,所述抑制流动系统被配置以提 供气流,用于帮助防止污染物颗粒沿所述辐射的方向穿过所述开孔,所述 抑制流动系统包括流分配结构,所述流分配结构被布置和被配置以在横向 于所述流的方向上增强流的均一性。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述出口设置在所述辐射的 焦点处或所述焦点附近。
3.根据权利要求1所述的光刻设备,还包括所述辐射源和收集器,所 述收集器被配置以将由所述辐射源发射出的辐射聚焦到焦点上。
4.根据权利要求3所述的光刻设备,其中,所述照射系统的所述外壁 的一部分在朝向所述焦点的方向上逐渐变小,或者如果所述光刻设备包括 辐射源,则所述辐射源的内壁在朝向所述焦点的方向上逐渐变小。
5.根据权利要求4所述的光刻设备,其中,所述部分是锥形。
6.根据权利要求4所述的光刻设备,其中所述逐渐变小的部分在所述 焦点的0.15m的半径范围内。
7.根据权利要求4所述的光刻设备,其中,所述出口延伸通过所述部 分。
8.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述气流包括从由H2、He、 Ne、Kr和Ar构成的组中选择出的一种或更多种气体。
9.根据权利要求1所述的光刻设备,还包括:
衬底台,所述衬底台被构造以保持所述衬底;和
投影系统,所述投影系统被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述 衬底的目标部分上。
10.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述照射系统的内壁的一 部分在朝向所述辐射的焦点的方向上逐渐变小。
11.根据权利要求10所述的光刻设备,其中所述照射系统的所述内壁 的所述一部分是锥形的。
12.根据权利要求10所述的光刻设备,其中所述内壁的逐渐变小的部 分在所述焦点的0.15m的半径范围内。
13.根据权利要求12所述的光刻设备,其中所述内壁的逐渐变小的部 分在所述焦点的0.10m的半径范围内。
14.根据权利要求10所述的光刻设备,其中所述出口延伸通过所述照 射系统的内壁的所述一部分。
15.一种光刻设备,所述光刻设备被布置以将图案从图案形成装置投 影到衬底上,所述光刻设备包括:
照射系统,所述照射系统被配置以调节来自辐射源的辐射,所述照射 系统具有带开孔的壁,以允许来自所述辐射源的辐射穿过进入所述照射系 统;
抑制流动系统,所述抑制流动系统被配置用于提供气流,以帮助防止 污染物颗粒沿所述辐射的方向穿过所述开孔,所述抑制流动系统包括流分 配结构,所述流分配结构被配置用于在横向于所述流的方向上增强流的均 一性;和
支撑结构,所述支撑结构被构造以保持所述图案形成装置,所述图案 形成装置能够在辐射的横截面中将图案赋予所述辐射以形成图案化的辐 射束。
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