[发明专利]制造硅绝缘体晶圆的单晶圆植入机

权利要求书

1.一种离子植入机，包括：

离子束源，用于将由氧与氮所构成的族群中选出的离子产生为具有一定剂量范围的离子束，所述离子束的剂量范围由氧大约1E¹⁷至4E¹⁷cm^-2、氧大约1至3E¹⁵cm^-2以及氮大约1E¹⁷至2E¹⁸cm^-2所构成的族群中选出；

分析器磁体，用于自所述离子束移除不想要的物质；以及

具有背面气体热耦合的静电夹盘，所述静电夹盘用于固持单个工件而通过具有所述剂量范围的所述离子束来进行硅绝缘体的植入，所述静电夹盘用于冷却所述工件至大约300℃至600℃的温度范围。

2.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述离子束是带束且所述静电夹盘用于对所述单个工件执行一维扫描。

3.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述离子束源包括间接加热的阴极离子源。

4.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述离子束源包括微波离子源。

5.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述离子束源包括感应耦合的RF离子源。

6.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述离子植入机用于在植入前预热所述单个工件至大约300℃至600℃的温度范围。

7.根据权利要求6所述的离子植入机，其中所述静电夹盘用于预热所述单个工件。

8.根据权利要求6所述的离子植入机，其中所述离子植入机还包括至少一个灯，所述灯用于预热所述单个工件。

9.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述背面气体热耦合提供至少大约15托的背面气体压力。

10.一种离子植入机，包括：

离子束源，用于将由氢和氦所构成的族群选出的离子产生为具有一定剂量范围的离子束，所述剂量范围是由氢大约5E¹⁵至8E¹⁶cm^-2和氦大约5E¹⁵至8E¹⁶cm^-2所构成的族群选出；

分析器磁体，用于自所述离子束移除不想要的物质；以及

具有背面气体热耦合的静电夹盘，所述静电夹盘用于固定单个工件而通过具有所述剂量范围的所述离子束来进行硅绝缘体的植入，所述静电夹盘用于将所述工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。

11.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述离子束是带束且所述静电夹盘用于对所述单个工件执行一维扫描。

12.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述离子束源包括间接加热的阴极离子源。

13.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述离子束源包括微波离子源。

14.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述离子束源包括感应耦合的RF离子源。

15.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述离子植入机用于在植入前将所述单个工件预热至大约300℃至600℃的温度范围。

16.根据权利要求15所述的离子植入机，其中所述静电夹盘用于预热所述单个工件。

17.根据权利要求15所述的离子植入机，其中所述离子植入机还包括至少一个灯，所述灯用于预热所述单个工件。

18.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述背面气体热耦合提供至少大约15托的背面气体压力。