[发明专利]逻辑元件有效
申请号: | 200880107598.7 | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101803191A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 山口浩司;伊姆兰·马赫布卜;冈本创 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社 |
主分类号: | H03K19/162 | 分类号: | H03K19/162;H01L27/10;H03H9/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逻辑 元件 | ||
1.一种逻辑元件,至少包括:
机械振动的振动部;
激励装置,用于以相位差π的第一振动状态和第二振动状态中的任意 一种使所述振动部参变振动;
输入部,接收输入到所述激励装置中的用于参变振动的信号;和
输出部,输出与参变振动的所述振动部的所述第一振动状态和第二 振动状态中的任意一种相对应的信号,
其中使用所述第一振动状态或第二振动状态表示“0”或“1”的二 进制信息,其中
所述振动部包括具有由压电材料形成的压电层的梁,
所述激励装置是所述压电层,
所述输入部是接收用于使所述梁参变振动的交流电压的输入电极, 并且
所述输出部是用于输出基于所述压电材料的压电效应的信号的输出 电极。
2.根据权利要求1所述的逻辑元件,其中所述输入电极包括:
第一电极,选择性接收具有所述梁的共振频率且相位差π的第一交流 电压和第二交流电压,和
第二电极,接收具有为所述梁的所述共振频率两倍的频率的第三交 流电压,以参变激励所述梁。
3.根据权利要求2所述的逻辑元件,还包括:
以预定间隔排成阵列的多个梁;
为各个梁分别设置的所述第二电极;
为所述梁的阵列一端的梁设置的所述第一电极;
为所述梁的阵列的另一端的梁设置的所述输出电极;和
振动耦合装置,用于耦合相邻的梁的振动。
4.根据权利要求3所述的逻辑元件,其中所述振动耦合装置是设置 在相邻梁之间的转移电极。
5.根据权利要求3所述的逻辑元件,其中所述振动耦合装置是部分 连接相邻梁的耦合梁。
6.根据权利要求1所述的逻辑元件,其中所述梁包括:
由第一半导体形成的导电层,和
压电层,所述压电层层叠在所述导电层上,并由导电性比所述第一 半导体低的第二半导体和绝缘体中的任一种形成。
7.根据权利要求6所述的逻辑元件,其中所述梁包括:
所述第一半导体是第一化合物半导体,和
所述第二半导体是带隙比所述第一化合物半导体大的第二化合物半 导体。
8.根据权利要求6所述的逻辑元件,其中所述第二半导体通过异质 外延生长制备。
9.一种逻辑元件,至少包括:
机械振动的振动部;
激励装置,用于以相位差π的第一振动状态和第二振动状态中的任意 一种使所述振动部参变振动;
输入部,接收输入到所述激励装置中的用于参变振动的信号;和
输出部,输出与参变振动的所述振动部的所述第一振动状态和第二 振动状态中的任意一种相对应的信号,
其中使用所述第一振动状态或第二振动状态表示“0”或“1”的二 进制信息,其中所述激励装置包括:
第一激励装置,用于通过向所述振动部施加静电力,激励所述振动 部以相位差π的所述第一振动状态和第二振动状态中的任意一种振动,和
第二激励装置,用于参变激励所述振动部以所述第一振动状态和第 二振动状态中的任意一种振动,和
所述输出部包括输出电极,所述输出电极连接至所述振动部的一端 并输出与所述振动部的振动相对应的信号。
10.根据权利要求9所述的逻辑元件,其中所述输入部包括:
第一电极,选择性接收具有所述振动部的共振频率且相位差π的第一 交流电压和第二交流电压,和
第二电极,接收具有为所述振动部的所述共振频率两倍的频率的第 三交流电压,以参变激励所述振动部。
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