[发明专利]静电夹持装置、光刻设备以及制造静电夹持装置的方法有效
申请号: | 200880107793.X | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101803001A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | A·J·C·斯吉本;T·A·R·凡埃姆派尔;R·维色;J·H·G·弗朗森;阳宗全;A·布拉尔斯;A·P·瑞吉普玛 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 夹持 装置 光刻 设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种用于在使用中将物体保持在光刻设备中的固定平面上的静电夹 持装置,所述夹持装置包括设置有突节的支撑结构,所述突节的顶部确定 所述物体保持所在的平面,且由绝缘体包围的电极设置在所述突节之间,
其中所述设置有突节的支撑结构由一块具有小于10m/m.K x 10-6的膨 胀系数的材料一体制成。
2.如权利要求1所述的静电夹持装置,其中,所述支撑结构由具有小 于4m/m.K x 10-6的膨胀系数的材料制成。
3.如前面权利要求中任一项所述的静电夹持装置,其中,所述静电夹 持装置设置有温度控制系统。
4.如权利要求3所述的静电夹持装置,其中,所述温度控制系统包括 水管道。
5.如权利要求1或2所述的静电夹持装置,其中,所述设置有突节的 支撑结构由非金属制成。
6.如权利要求1或2所述的静电夹持装置,其中,所述绝缘体是电介 质材料,并且其中所述电介质材料是聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酯薄膜、 石英、液晶聚合物或氮化硼。
7.如权利要求1或2所述的静电夹持装置,其中,所述静电夹持装置 设置有用以将回填气体供给至所述物体和所述支撑结构之间的回填气体系 统。
8.如权利要求1或2所述的静电夹持装置,其中,所述夹持装置设置 有连接到电极控制装置的内电极和外电极,所述电极控制装置构造并布置 成在所述物体的释放过程中使所述外电极在所述内电极之前不起作用,使 得回填气体能够在所述物体释放之前排出。
9.一种制造静电夹持装置的方法,所述静电夹持装置配置用以将物体 静电夹持到光刻设备中的物体支撑结构,所述方法包括步骤:设置具有突 节的材料层,其中由一块具有小于10m/m.K x 10-6的膨胀系数的材料一体 制成设置有突节的物体支撑结构;和将由电介质材料包围的电极设置在所 述突节之间。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述制造方法包括步骤:采用溅 射工艺、化学气相沉积工艺或其组合以制备所述电介质材料。
11.一种制造静电夹持装置的方法,所述静电夹持装置配置用以将物体 静电夹持到光刻设备中的物体支撑结构,所述方法包括步骤:设置具有突 节的材料层,其中由一块具有小于10m/m.K x 10-6的膨胀系数的材料一体 制成设置有突节的物体支撑结构;和将由绝缘体包围的电极设置在所述突 节之间。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述制造方法包括步骤:采用 溅射工艺、化学气相沉积工艺或其组合以制备所述绝缘体。
13.一种光刻设备,包括:
物体支撑结构,其构造用以将物体支撑在辐射束的束路径中;和
如权利要求1-8中任一项所述的静电夹持装置,其配置用以将所述物 体紧靠所述物体支撑结构夹持。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造