[发明专利]大功率放大器，无线发射器，无线收发器以及用于安装大功率放大器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及大功率放大器、无线发射器、无线收发器以及用于安装大功率放大器的方法。

背景技术

目前在用于电话基站的发射器等的利用大输出功率场效应晶体管(通常称之为FET(场效应晶体管))的高频(通常称之为RF(射频))大功率放大器中，通过焊接将FET安装于小金属块(block)的方法在目前是广泛地用作FET安装的方法。这种方法的优点是能够获得良好的散热特性和良好的电接触稳定性。

图1A至图1C是示出用于安装与本发明有关的大功率放大器的方法的工艺过程图。

下面将根据图1A至图1C描述用于安装与本发明有关的大功率放大器的方法。

首先，设置具有从设置在散热件1a上的结晶器(mold)1b的两侧表面向外延伸的引线1c的晶体管1、双面接线板(通常称之为PWB(印刷接线板))2、金属块3和外壳4。晶体管1的散热件1a能够插入到其中的开口2a形成在双面接线板2上，而金属块3能够容纳在其中的开口4a形成在外壳4上(图1A)。

其次，将散热件1a插入到双面接线板2的开口2a中，并且通过焊料5a至5c(图1B)进行在双面接线板2的一个表面(在图中为上表面)上的接线图形和引线1c之间的电连接，以及在晶体管1的散热件1a和金属块3之间的电连接。

最后，将其上安装有晶体管1和金属块3的双面接线板2容纳在外壳4中，使得金属块3设置在外壳4的开口4a中，并且因而能够获得大功率放大器(图1C)。

在这里，提供专利文献1至4，每个专利文献都描述本发明的相关技术。

在专利文献1中所描述的功率放大器安装板包括基板和导电板，该基板上形成有凹入部分，该导电板形成在具有能将场效应晶体管安装在其中的区域的所述凹入部分中，具有凸形形状的散热结构，并且在该功率放大器安装板中被引向该基板的下表面，该凸形形状的高度与基板的厚度相同。

通过利用功率放大器安装板能够减少用于安装的人工工时和成本。

在用于小型电话装置的功率放大器中，在专利文献2中所描述的直接安装的功率放大器包括主板，小型电话装置的电路形成在该主板上，并且每个元件安装在该主板上；以及直接安装在该主板上的功率放大器。因此，能够整体地调节该直接安装在主板上的装置。

根据直接安装的功率放大器，作为具有移动电话的主板的用于发射(transmission)的功率放大器，电路图形形成在移动电话的该主板上，功率放大器直接安装在该主板上并且获得用于发射的功率放大器。因此，在监控移动电话的天线端特性的同时，通过调节作为安装元件的可变电容能够容易地并且完全地获得最合适的特性。

专利文献3中描述的大功率放大器包括金属副载波(metalsubcarrier)、形成在该金属副载波上的半导体装置和微波信号发射线，以及形成在该金属副载波和金属壳体之间并且与该金属副载波和金属壳体接触的金属散热板。在形成在金属壳体上方的功率放大器中，构成金属散热板的材料的热敏电阻特性值小于构成金属副载波和金属壳体的材料的热敏电阻特性值，并且金属散热板具有比金属副载波和金属壳体之间的接触面积更大的面积。

通过该大功率放大器，能够改善散热效果，同时使重量的增加最小化。

在专利文献4中描述的用于电功率组件的金属外壳中，用于功率放大的印刷接线板和半导体通过焊接等固定在散热板上。在高频多级功率放大电路中，印刷接线板用金属罩覆盖并且散热板的表面用焊料涂覆。

通过利用用于电功率组件的金属外壳，应用这样的结构作为用于高频多级功率放大电路的电力组件的金属外壳，其中用焊料涂覆散热板的使印刷接线板和需要散热的半导体通过焊接固定于其上的表面，因此，改善焊料的可润湿性，改善从半导体到散热板的热传导效率，因此抑制了半导体被加热。

专利文献1：日本专利申请特许公开No.2001-250881

专利文献2：日本专利申请特许公开No.1992-3498

专利文献3：日本专利公布No.2970530

专利文献4：日本专利公布No.1995-28153

发明内容

本发明要解决的问题

然而，在图1A至图1C所示的安装方法中，由于机械加工精度的问题在金属块和外壳之间形成间隙。为了避免由于该间隙引起的RF接地(ground)的不连续性，需要通过焊接连接双面接线板的后表面上的图形和晶体管。这将使生产成本增加并且产生其他机械误差。