[发明专利]OH、OD含量低的熔凝氧化硅及其制备方法

权利要求书

1.一种熔凝氧化硅制品，所述熔凝氧化硅制品中OH和OD的平均合并浓度小于约10ppm，其中所述熔凝氧化硅制品通过以下步骤形成：

a.提供烟炱坯体；

b.在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥所述烟炱坯体；

c.氧化干燥的烟炱坯体；以及

d.烧结所述坯体，形成熔凝氧化硅制品。

2.如权利要求1所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，所述干燥的坯体掺杂有氘和氕中的至少一种。

3.如权利要求2所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，所述干燥坯体是通过将烟炱坯体暴露于无卤素气体混合物中进行掺杂，所述无卤素气体混合物包含惰性气体、一氧化碳以及含氕化合物和含氘化合物中的至少一种。

4.如权利要求2所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，OH和OD的合并浓度相对于OH和OD的平均合并浓度的变化小于4ppm。

5.如权利要求2或4所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，OH和OD的合并浓度相对于OH和OD的平均合并浓度的变化小于0.4ppm。

6.如权利要求2所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，干燥烟炱坯体的步骤和对烟炱坯体掺杂的步骤同时进行。

7.如前述权利要求中任一项所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，干燥烟炱坯体步骤包括在约1150℃至约1300℃范围内的温度下加热所述烟炱坯体。

8.如前述权利要求中任一项所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，所述无卤素气氛包含约0.01％至约100％的一氧化碳。

9.如前述权利要求中任一项所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，OH和OD的平均合并浓度小于约1ppm。

10.如前述权利要求中任一项所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，氧化所述干燥烟炱坯体的步骤包括在含惰性气体和氧气的氧化气氛中，在预定温度下加热所述干燥的烟炱坯体。

11.如前述权利要求中任一项所述的熔凝氧化硅制品，其特征在于，所述烟炱坯体基本上不含锗。

12.一种制备熔凝氧化硅制品的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供烟炱坯体；

b.在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥所述烟炱坯体；

c.氧化干燥的烟炱坯体；以及

d.烧结所述坯体，形成熔凝氧化硅制品，其中所述熔凝氧化硅制品中OH和OD的平均合并浓度小于约10ppm。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，干燥烟炱坯体的步骤包括在约1150℃至约1300℃范围内的温度下加热所述烟炱坯体。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述无卤素气氛包含约0.1％至约100％的一氧化碳。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述无卤素气氛包含惰性气体和约0.5％至约10％的一氧化碳。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥烟炱坯体的步骤包括在含惰性气体、一氧化碳以及含氘物质和含氕物质中至少一种的无卤素气氛中，在约1150℃至约1300℃范围内的温度下加热所述烟炱坯体。

17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，氧化所述干燥的烟炱坯体的步骤包括在含惰性气体和氧气的氧化气氛中，在预定温度下氧化所述干燥的烟炱坯体。

18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述氧化气氛包含约0.5％至约5％的氧气。

19.如权利要求12所述的方法，它还包括在干燥所述烟炱坯体的步骤之前，在预定温度下预加热所述熔凝氧化硅烟炱坯体预定时间的步骤。