[发明专利]辐照发射装置及其制造方法有效
申请号: | 200880108606.X | 申请日: | 2008-09-25 |
公开(公告)号: | CN101816080A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | M·费勒;K·霍伊泽;E·霍夫林;T·施伦克;A·英格尔;M·波普;M·克莱因;N·里格尔;G·施米德;R·克劳斯;S·塞德尔;F·科兹劳斯基;A·孔策;G·吉雷斯 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;李连涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐照 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
1.辐照发射装置,其包括:
-第一电极(100),其在运行中发出第一电荷的载流子,
-第一经掺杂传输层(200),该第一经掺杂传输层输送所述第一电荷的载 流子,在其掺杂中具有梯度,具有大于100nm的层厚度,且设置在所述第一电 极(100)上并与所述第一电极(100)相邻,其中第一经掺杂传输层(200)被 分成三个部分层,且第二部分层中的平均掺杂浓度高于第一和第三部分层中的 平均掺杂浓度,其中第二部分层位于第一和第三部分层之间的区域,
-第一发射层(400),其具有第一发射材料且设置在所述第一经掺杂传输 层(200)上,
-第二发射层(410),其具有第二发射材料且设置在所述第一发射层(400) 上,其中
-所述第一发射层(400)和/或第二发射层(410)包括基质,所述基质具 有输送第一电荷的载流子的第一基质材料和输送第二电荷的载流子的第二基质 材料,以及
-第二电极(110),其在运行中发出第二电荷的载流子且设置在所述第二 发射层(410)上,其中
-所述第一和/或第二发射材料是发磷光的,并且所述第一发射材料在与第 二发射材料不同的波长发出辐照。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,在所述第一发射层(400)和第二发 射层(410)之间设置有第一电荷输送层(500)。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一电荷输送层(500)包括基 质,所述基质包括输送第一和第二电荷的载流子的基质材料或者存在输送第一 电荷的载流子的第一基质材料和输送第二电荷的载流子的第二基质材料的混合 物。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,存在第三发射层(420),该发射层 具有第三发射材料并设置在所述第二发射层(410)和所述第二电极(110)之 间,其中所述第三发射材料在与第一和第二发射材料不同的波长发出辐照。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述第三发射层(420)输送第二电 荷的载流子。
6.根据权利要求4或5所述的装置,其中,存在第二电荷输送层(510), 该层设置在所述第二发射层(410)与第三发射层(420)之间。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第二电荷输送层(510)包括基 质,所述基质包括输送第一和第二电荷的载流子的基质材料或者具有输送第一 电荷的载流子的第一基质材料和输送第二电荷的载流子的第二基质材料。
8.根据权利要求4或5所述的装置,其中,所述第三发射层(420)包括基 质,所述基质具有输送第一电荷的载流子的第一基质材料和输送第二电荷的载 流子的第二基质材料。
9.根据权利要求1或2所述的装置,其中,所述第一电极(100)对由所述 第一和/或第二发射材料发出的辐照是反射性的。
10.根据权利要求4所述的装置,其中,所述第一电极(100)对由所述第 一和/或第二和/或第三发射材料发出的辐照是反射性的。
11.根据权利要求9所述的装置,其中,随着发射层(400、410、420)至 反射性电极的距离的增加,各发射材料在更大的波长处发出辐照。
12.根据权利要求1或2所述的装置,其中,所述第二电极(110)对由第 一和/或第二发射材料发出的辐照是透明的。
13.根据权利要求4所述的装置,其中,所述第二电极(110)对由所述第 一和/或第二发射材料和/或第三发射材料发出的辐照是透明的。
14.根据权利要求1或2所述的装置,其中,所述第一电极(100)和/或第 二电极(110)朝向所述发射层(400、410、420)的表面具有一定高度的不平 整。
15.根据权利要求14所述的装置,其中,与所述第一电极(100)和/或第 二电极(110)相邻接的层具有比所述不平整的高度更大的层厚度。
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