[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现装置无效
申请号: | 200880108642.6 | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101828222A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 佐佐木有三;桥本笃志 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/65 | 分类号: | G11B5/65;G11B5/66;G11B5/667;G11B5/851 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 制造 方法 以及 再现 装置 | ||
1.一种垂直磁记录装置,其至少包括形成在非磁性基底上的软磁性层、下垫层、中间层以及垂直磁记录层,其特征在于,所述垂直磁记录层包括至少一个磁性层,该一个磁性层或多个磁性层中的至少一个包括主要由钴构成的铁磁晶粒和由氧化物构成的晶界,其中所述铁磁晶粒还包含钌。
2.根据权利要求1的垂直磁记录介质,其中钌在所述铁磁晶粒中的含量在1原子%到15原子%的范围内。
3.根据权利要求1或2的垂直磁记录介质,其中在包括所述铁磁晶粒和由氧化物构成的所述晶界的所述一个或多个磁性层中所包含的所述氧化物为选自Si、Ti、Ta、Cr、Al、W、Nb和Ru的氧化物中的至少一种氧化物。
4.根据权利要求1到3中的任何一项的垂直磁记录介质,其中在包括所述铁磁晶粒和由氧化物构成的所述晶界的所述一个或多个磁性层中所包含的所述氧化物的总量在2摩尔%到20摩尔%的范围内。
5.根据权利要求1到4中的任何一项的垂直磁记录介质,其中所述磁晶粒具有范围为3nm到12nm的平均粒径。
6.根据权利要求1到5中的任何一项的垂直磁记录介质,其中包括所述铁磁晶粒和由氧化物构成的所述晶界的所述一个磁性层或多个磁性层中的每一个的厚度在1nm到20nm的范围内;所述磁性层的总厚度在2nm到40nm的范围内。
7.根据权利要求1到6中的任何一项的垂直磁记录介质,其中所述软磁性层具有软磁性非晶或微晶结构。
8.一种制造根据权利要求1到7中的任何一项的垂直磁记录介质的方法,包括通过溅射靶材料形成所述垂直磁记录层的步骤,所述靶材料包括氧化物材料和至少包含钴的铁磁材料,其中所述铁磁材料和所述氧化物材料中的至少一种包含钌。
9.一种具有垂直磁记录介质和磁头的磁记录再现装置,其中所述磁头用于在所述磁记录介质中记录和再现信息,其特征在于,所述垂直磁记录介质为根据权利要求1到7中的任何一项的垂直磁记录介质。
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