[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)等使用发光状态对应于电流量而发生变化的元件的电流控制型的显示装置及其制造方法。 

背景技术

近年来，随着对重量轻、薄型、高速响应的显示器的需求的提高，对有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器或FED(Field EmissionDisplay：场致发射显示器)的研发日益活跃。 

对于有机EL元件，由于亮度与电压的关系容易随驱动时间、周边温度等而变动，所以用电压控制型的驱动方法难以抑制亮度的偏差。另一方面，对于有机EL元件，亮度与电流成比例关系，受到周边温度等外界因素的影响也较少。因此，主要采用电流控制型作为有机EL显示器的驱动方式。 

然而，在这些显示器中，将TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)用作为构成像素电路及驱动电路的开关元件。而且，对于这样的TFT，使用非晶硅、低温多晶硅、CG(Continuous Grain：连续晶粒)硅等。 

然而，对于TFT，一般有阈值(阈值电压)、迁移率等特性(驱动能力)易产生偏差的问题。 

特别是，主要用于便携式电话等小型用途的多晶硅(p-Si)，由于其形成过程中进行激光退火，所以在激光扫描的接缝中易产生特性的偏差。即，在形成面板时，虽然由1次激光扫描(激光照射)进行退火的范围比较均匀，但激光扫描的交界面的TFT的特性的偏差易被看作为筋状的图像缺陷。另外，有时在由1次激光扫描(激光照射)所退火的范围内也产生TFT的特性的偏差，从而有时导致产生图像的显示不均匀。 

作为对这样的特性的偏差进行补偿的方法，提出了(1)在像素电路内 设置用于补偿偏差的电路的方法、或(2)在外部设置补偿功能的方法等。 

例如，在专利文献1中，揭示了采用上述(1)的方法的有机EL显示器的像素电路结构。 

图9是说明专利文献1所揭示的像素电路的电路结构的说明图。该图所示的像素电路100由驱动用TFT110、开关用TFT120、130、140、电容器150、160、以及有机EL元件(OLED：有机发光二极管)170构成。此外，上述TFT都是P沟道型。 

驱动用TFT11的源极端子与电源线184(+VDD)连接，驱动用TFT11的漏极端子与开关用TFT130的源极端子连接。另外，开关用TFT130的漏极端子通过有机EL元件170与GND(公共阴极)连接。另外，驱动用TFT110的栅极端子与电容器160的一端连接，电容器160的另一端与开关用TFT140的漏极端子连接。另外，开关用TFT140的源极端子与数据线180连接，开关用TFT140的栅极端子与选择线181连接。另外，开关用TFT120的源极端子连接在驱动用TFT110的栅极端子与电容器160之间，开关用TFT120的漏极端子连接在驱动用TFT110的漏极端子与开关用TFT130的源极端子之间，开关用TFT120的栅极端子与自动归零线182连接。另外，开关用TFT130的栅极端子与照明线183连接。另外，电容器150的一端与电源线184连接，另一端连接在驱动用TFT110的栅极端子与电容器160之间。 

图10是表示像素电路100的动作定时的说明图。 

首先，在第一期间，使自动归零线182及照明线183为低(Low)电位。由此，开关用TFT120及130处于导通状态，驱动用TFT110的漏极端子与栅极端子处于相同电位。此时，驱动用TFT110也处于导通状态，从电源线184通过驱动用TFT110及开关用TFT130向有机EL元件170流过电流。此时，预先将数据线180设置为基准电位Vstd，使选择线181为低电位，从而预先使电容器160的开关用TFT140一侧的端子为基准电位Vstd。 

接着，在第二期间，通过使照明线183为高(Hi)电位，使开关用TFT130处于非导通状态。在该状态下，来自电源线184的电流通过驱动用TFT110及开关用TFT120，流到驱动用TFT110的栅极端子。于是，驱动用TFT110 的栅极端子的电位逐渐上升，在变为对应于阈值电压Vth(Vth是驱动用TFT110的栅极·源极间电压，为负值)的值(+VDD+Vth)时，驱动用TFT110处于非导通状态。