[发明专利]光电池正面基板和基板用于光电池正面的用途

权利要求书

1.具有吸收性光电材料的光电池(1)，所述电池包含正面基板(10)，尤其是透明玻璃基板，其在主表面上包含由包括金属功能层(40)，尤其是基于银的金属功能层，和至少两个减反射涂层(20，60)的薄层叠层构成的透明电极涂层(100)，所述减反射涂层各自包含至少一个减反射层(24，26；64，66)，所述功能层(40)位于这两个减反射涂层(20，60)之间，其特征在于在与基板相对侧的位于金属功能层(40)上方的减反射涂层(60)的光学厚度等于在基板方向上位于金属功能层(40)下方的减反射涂层(20)的光学厚度的大约四倍。

2.如权利要求1所述的光电池(1)，其特征在于位于金属功能层(40)上方的所述减反射涂层(60)的光学厚度为位于金属功能层(40)下方的减反射涂层(20)的光学厚度的3.1至4.6倍，包括这些端点值。

3.如权利要求1或2所述的光电池(1)，其特征在于该电极涂层(100)包含最远离基板的导电层(66)，该导电层具有2×10^-4Ω.cm至10Ω.cm的电阻率ρ，尤其是基于TCO的层。

4.如权利要求3所述的光电池(1)，其特征在于所述导电层具有的光学厚度为离基板最远的减反射涂层(60)的光学厚度的50至98％，尤其为离基板最远的减反射涂层(60)的光学厚度的85至98％。

5.如权利要求1至4任一项所述的光电池(1)，其特征在于位于金属功能层(40)上方的所述减反射涂层(60)的光学厚度为该光电材料的最大吸收波长λ_m的0.45至0.55倍，包括这些端点值，优选地，位于金属功能层(40)上方的所述减反射涂层(60)的光学厚度为该光电材料的吸收光谱乘以太阳光谱的乘积的最大波长λ_M的0.45至0.55倍，包括这些端点值。

6.如权利要求1至5任一项所述的光电池(1)，其特征在于位于金属功能层(40)下方的所述减反射涂层(20)的光学厚度为该光电材料的最大吸收波长λ_m的0.075至0.175倍，包括这些端点值，优选地，位于金属功能层(40)下方的所述减反射涂层(20)的光学厚度为该光电材料的吸收光谱乘以太阳光谱的乘积的最大波长λ_M的0.075至0.175倍，包括这些端点值。

7.如权利要求1至6任一项所述的光电池(1)，其特征在于所述基板(10)在电极涂层(100)下方包括具有与该基板的折光指数接近的低折光指数n₁₅的底部减反射层(15)，所述底部减反射层(15)优选基于氧化硅或基于氧化铝或基于这两者的混合物。

8.如权利要求7所述的光电池(1)，其特征在于所述底部减反射层(15)具有10至300纳米的物理厚度。

9.如权利要求1至8任一项所述的光电池(1)，其特征在于功能层(40)沉积在基于任选地掺杂的氧化物，尤其基于任选地掺杂的氧化锌的润湿层(26)上方。

10.如权利要求1至9任一项所述的光电池(1)，其特征在于功能层(40)直接位于至少一个下邻阻隔涂层(30)的上方和/或直接位于至少一个上邻阻隔涂层(50)的下方。

11.如权利要求10所述的光电池(1)，其特征在于至少一个阻隔涂层(30，50)基于Ni或Ti或基于Ni基合金，尤其基于NiCr合金。

12.如权利要求1至11任一项所述的光电池(1)，其特征在于在基板方向上在金属功能层下方的涂层(20)和/或在金属功能层上方的涂层(60)包含基于混合氧化物，特别基于锌锡混合氧化物或铟锡混合氧化物(ITO)的层。

13.如权利要求1至12任一项所述的光电池(1)，其特征在于在基板方向上在金属功能层下方的涂层(20)和/或在金属功能层上方的涂层(60)包含具有极高折光指数，尤其等于或高于2.35的折光指数的层，如，例如基于氧化钛的层。

14.如权利要求1至13任一项所述的光电池(1)，其特征在于其在与正面基板(10)相对侧的在电极涂层(100)上方包括基于光电材料的涂层(200)。