[发明专利]电压电流控制装置及方法

权利要求书

1.一种电压电流控制装置，其特征在于，包含：

一下边场效晶体管FET，包含一源极、一栅极及一漏极，且所述下 边场效晶体管的所述漏极连接于接地端；

一上边场效晶体管FET，包含一源极、一栅极及一漏极，所述上边 场效晶体管的所述漏极连接于一输入电压源，且所述上边场效晶体管的所 述源极与所述下边场效晶体管的所述漏极电性连接成一个结点；

一栅极控制集成电路IC，包含一上边输出与一下边输出，所述上边 输出与所述上边场效晶体管的所述栅级电性连接，所述下边输出与所述下 边场效晶体管的所述栅极电性连接；

一个样本保持电路，在周期中所述下边场效晶体管FET为导通的部 分期间，用所述样本保持电路来采样或储存一第一输入讯号，所述第一输 入讯号与由所述结点流至一负载的电流成正比；

一比较器，其输出连接于所述栅极控制集成电路IC的输入，并用以 接收所述第一输入讯号和一第二输入讯号的组合讯号及一第三输入讯号 和一第四输入讯号的组合讯号，所述第二输入讯号为一目标电压，所述第 三输入讯号与电流周期内通过所述负载的电流成正比，所述第四输入讯号 为横跨于所述负载的一输出电压，当所述第一输入讯号与所述第二输入讯 号的总合相等于所述第三输入讯号与所述第四输入讯号的总合时所述比 较器将输出一触发讯号，并且所述触发讯号用以触发新周期的开始以使所 述上边场效晶体管FET为导通，所述下边场效晶体管FET为截止。

2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，其中所述上边场效晶体管 FET与所述下边场效晶体管FET为金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET。

3.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，其中所述下边场效晶体管 FET与所述样本保持电路之间具有电流传感器，所述电流传感器用以产生所 述第一输入讯号。

4.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一目标电压产生器， 所述目标电压产生器与一第一讯号合成器相连接，并用以产生所述第二输入 讯号。

5.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，其中具有与所述样本保持电 路连接的电流传感器，所述电流传感器用以产生所述第三输入讯号。

6.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一电压传感器，所述 电压传感器与所述负载相连接，并用以产生所述第四输入讯号。

7.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，其中所述样本保持电路在周 期接近结束的狭小时间窗口期间内，撷取所述下边场效晶体管的所述漏极与 所述源极间的电流，以作为更新所述第一输入讯号的更新依据。

8.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一电感器，所述电感 器与所述负载串联。

9.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一电容器，所述电容 器与所述负载并联。

10.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一负载感测电路，所 述负载感测电路与所述栅极控制集成电路IC的致能输入端电性连接，并用以 感测通过所述负载的电流以产生一致能讯号，当通过所述负载的电流低于所 预设负载的电流门坎时，所述负载感测电路所产生的所述致能讯号将使得所 述上边场效晶体管FET与所述下边场效晶体管FET同时截止。

11.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一第一讯号合成器， 所述第一讯号合成器与所述比较器相连接，并用以接收且相加所述第一输入 讯号与所述第二输入讯号。

12.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于，更包括一讯号合成器，所述 讯号合成器与所述比较器相连接，并用以接收所述第一输入讯号、所述第三 输入讯号及所述第四输入讯号，且将所述第三输入讯号及所述第四输入讯号 相加后减去所述第一输入讯号后的结果，输出至所述比较器。