[发明专利]光电子半导体芯片,光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件，其带有根据权利要求12至15中的任一项所述的光电子半导体芯片和支承体本体，在支承体本体上施加有半导体芯片，使得接触层设置在半导体本体的背离支承体本体的侧上，其中半导体芯片和支承体本体至少部分地用电绝缘层覆盖，并且施加在绝缘层上的电导体触碰接触层的外表面的至少一部分并且离开半导体本体横向地延伸。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中电导体触碰接触层的外表面的至少50％。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中电导体在该电导体触碰接触层的区域中与在该区域中的接触层一同具有大于或等于1.5μm的总厚度。

4.根据权利要求3所述的光电子器件，其中总厚度大于或等于2μm。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光电子器件，其中绝缘层具有至少一种如下材料：该材料选自塑料、硅树脂和玻璃。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的光电子器件，其中电绝缘的盖层施加到印制导线结构上。

7.一种用于制造光电子器件的方法，包括以下步骤：

-提供支承体本体和根据权利要求12至15中的任一项所述的光电子半导体芯片；

-在支承体本体上施加半导体芯片；

-将电绝缘层施加到半导体芯片和支承体本体上；

-将导电材料施加到绝缘层上，使得该导电材料触碰半导体芯片的接触层并且离开半导体芯片横向地延伸，用于构建电导体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在施加导电材料之前在绝缘层中构建凹处，用于暴露接触层的至少一部分。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中施加绝缘层包括施加预制的层或者印刷、喷射或者旋涂用于绝缘层的材料。

10.根据权利要求7至9中的任一项所述的方法，其中施加导电材料包括施加金属层和借助电镀沉积来强化金属层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中施加金属层包括使用PVD方法。

12.一种光电子半导体芯片，其带有半导体本体和施加在半导体本体上的、金属导电的电接触层，其中接触层具有小于或等于1μm的厚度。

13.根据权利要求12所述的光电子半导体芯片，其中接触层具有小于或等于0.7μm的厚度。

14.根据权利要求12所述的光电子半导体芯片，其中接触层具有小于或等于0.5μm的厚度。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的光电子半导体芯片，其中接触层施加在半导体本体的主侧上，并且覆盖主侧的总面积的小于或等于25％的面积。