[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于，所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层，所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，构成所述衬里层的软磁性膜为非晶结构。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，所述种子层是含有Mg、Ti、Zr、Hf、Y、Ru、Re、Os或Zn作为主成分的hcp结构的(002)晶体取向层。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的磁记录介质，其中，构成第1中间层的bcc结构的(110)晶体取向层含有60原子％以上的Cr。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质，其中，构成第1中间层的bcc结构的(110)晶体取向层含有Cr作为主成分，而且含有选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni、Al、Ag、Cu、Rh、Pb、Co、Fe、Mn、V、Nb、Ta、Mo、W、B、C、Si、Ga、In、Ti、Zr、Hf、Ru、Re中的至少一种。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的磁记录介质，其中，构成第1中间层的bcc结构的(110)晶体取向层由平均粒径为3nm～10nm的范围内的晶体粒子构成。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的磁记录介质，其中，构成第1中间层的bcc结构的(110)晶体取向层的膜厚为1nm～50nm的范围内。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的磁记录介质，其中，构成第2中间层的hcp结构的(002)晶体取向层是含有Ru或Ru合金的层。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的磁记录介质，其中，所述垂直磁记录层的至少一层采取由铁磁性层的晶粒和非磁性的氧化物晶界构成的颗粒结构。

10.一种磁记录介质的制造方法，是采用溅射法制造在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质的方法，其特征在于，作为hcp结构的(002)晶体取向层来形成所述种子层，而且，依次形成由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层来作为所述中间层。

11.一种磁记录再生装置，是具有磁记录介质和对该磁记录介质记录再生信息的磁头的磁记录再生装置，其特征在于，磁记录介质是权利要求1～9的任一项所述的磁记录介质。