[发明专利]用于处理包含四氟化硅和氯化氢的气流的方法无效
申请号: | 200880109341.5 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101827642A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 维塔尔·雷万卡尔;贾米勒·伊布拉希姆 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | B01D53/40 | 分类号: | B01D53/40;B01D53/68 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;张蓉珺 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 包含 氟化 氯化氢 气流 方法 | ||
1.用于从包含四氟化硅并具有初始氯化氢含量的气流中除去氯化氢的方法,所述方法包括将气流与金属源接触,其中金属与氯化氢反应,由此优先从气流中除去氯化氢并提供包含四氟化硅且具有下降的氯化氢含量的经处理的气流,所述下降的氯化氢含量不大于约90%(v/v)的初始氯化氢含量。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述气流的水分含量为至少约100ppm、至少约300ppm,或者至少约800ppm。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述气流的水分含量为约100ppm-约2500ppm、约300ppm-约1700ppm,或者约300ppm-约800ppm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其中所述金属显示的除去效率为至少约95%、至少约98%,或者至少约99.9%。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其中所述下降的氯化氢含量不大于约10%(v/v)、不大于约5%(v/v)、不大于约2.5%(v/v)、不大于约1%(v/v),或者不大于约0.5%(v/v)的初始氯化氢含量。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其中所述下降的氯化氢含量在开始所述接触的约60分钟内、约30分钟内,或者约2分钟内实现。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法,其中在所述接触期间,从气流中除去不大于约1%(v/v)、不大于约0.5%(v/v)、不大于约0.25%(v/v),或者不大于约0.1%(v/v)的四氟化硅。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法,其中所述金属源包括金属氧化物、金属氢氧化物,或者它们的组合。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法,其中所述金属显示低于约1.65、低于约1.55,或者低于约1.3的电负性。
10.根据权利要求1-9任一项所述的方法,其中所述金属选自锌、镁和它们的组合。
11.根据权利要求1-10任一项所述的方法,其中所述金属包括锌,并且金属源选自氧化锌、氢氧化锌和它们的组合。
12.根据权利要求11所述的方法,其中锌与氯化氢反应以产生氯化锌。
13.根据权利要求1-12任一项所述的方法,其中所述金属包括镁,并且金属源选自氧化镁、氢氧化镁和它们的组合。
14.根据权利要求13所述的方法,其中镁与氯化氢反应以产生氯化镁。
15.根据权利要求1-14任一项所述的方法,其中所述接触在约25℃-约90℃、约35℃-约80℃,或者约45℃-约70℃的温度下进行。
16.根据权利要求1-15任一项所述的方法,其中所述接触在约50psig-约1500psig、约250psig-约1250psig,或者约500psig-约1000psig的压力下进行。
17.根据权利要求1-16任一项所述的方法,其中所述金属源的表面积至少为约80ft2/ft3、至少约120ft2/ft3,或者至少约200ft2/ft3。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述金属源的表面积为约80ft2/ft3-约600ft2/ft3、约120ft2/ft3-约500ft2/ft3,或者约200ft2/ft3-约400ft2/ft3。
19.根据权利要求1-18任一项所述的方法,其中所述气流与金属接触的速率至少为约0.05lb/hrXft2、至少为约0.1lb/hrXft2、至少为约0.2lb/hrXft2,或者至少约0.3lb/hrXft2。
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