[发明专利]有机辐射发射构件有效
申请号: | 200880109386.2 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101809118A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | G·施米德 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;李连涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 辐射 发射 构件 | ||
本发明涉及一种有机辐射发射(strahlungsemittierend)构件如有机发光 二极管(OLED),其包括至少两个电极层和它们之间的至少一个含三重态发 射体的有机辐射发射层以及适于此的磷光金属配合物。
该专利申请要求德国专利申请10 2007 046 445.4、10 2008 0159 40.9、 10 2008 006 113.1和10 2008 004 471.7的优先权,其公开内容通过参考形 式引入本文中。该专利申请还要求国际专利申请PCT/DE2008/000868的优 先权,其中涉及含胍阴离子的配合物或具有含阴离子的胍基的配体的配合 物的公开内容通过参考形式引入本文中。
现有技术提供了大量发红光和/或绿光的OLED。辐射和可接受深蓝、 浅蓝和/或蓝绿光的OLED由于经济上有益的寿命而是难得的。
Cotton等指出,hpp-配体(1,3,4,6,7,8-六氢-2H-嘧啶并[1,2-a]嘧啶的阴离 子=Hhpp)具有通过其极高的碱性来稳定处于高氧化态的配合物的特别能 力(F.A.Cotton,L.M.Daniels,C.A.Murillo,D.J.Timmons,C.C.Wilkinson,J. Am.Chem.Soc.2002,124,9249-9256,以及Tab.3,来自F.A.Cotton,N.E. Gruhn,J.Gu,P.Huang,D.L.Lichtenberger,C.A.Murillo,L.O.van Dom,C. C.Wilkinson;,,Closed-Shell Molecules That Ionize More Readily Than Cesium“,Science卷298(2002)1971.)。
本发明的目的在于提供一种改进型的OLED。
本发明的主题在于一种辐射发射的有机构件,其具有衬底、至一层下 电极层、至少一个有机的辐射发射层和其上的至少一个上电极层,其中在 发射层中,在基质中含至少一种辐射发射性金属配合物,该金属配合物具 有至少一个经胍-阴离子-基团配位于中心原子的配体。下面这种为胍-阴离 子或含阴离子的胍基的配体也被称为胍基(Guanidinat)配体。
有利的是该嵌入发射层基质中的金属配合物含至少一个其含由胍衍 生的阴离子结构单元,即下列胍-阴离子基团,的阴离子配体:
该胍基配体可以是经取代的或未经取代的。
由上述的Cotton等人的科学论文还已知其它具有低的电离焓的金属 配合物。这类金属配合物至今用于有机半导体材料的n-掺杂。在取自Cotton 等人的所述文章的下表中示出其上键合有所谓“hpp”配体、“桨轮”配体的这 类金属配合物的选择实例。
表3:低于5ev的原子和化学制备和分离的分子的第一电离。文中讨 论了以分子束技术检测的瞬态和低温态物种。所有的双核分子具有闭壳层 单重态(singlet)σ2π4δ2构型。
令人意外地表明,具有那里所公开的“hpp”-配体的金属配合物和通常 具有胍基-配体的金属配合物在有机发光二极管的发射体系或发射层中导 致有效的短波发射,并也表现出足够的稳定性。该发射体例如适于红光辐 射、橙光辐射、黄光辐射、绿光辐射、蓝光辐射和紫光辐射的发射。特别 也要提及发射深蓝光(小于约450nm)、浅蓝光(约450nm-500nm)和/或蓝 绿光(大于约500nm)的发射体。在这些金属配合物中,除含上述的胍基- 配体外还可含一个或多个(相同的或不同的)其它配体(下面称为共配体)。
有利的是,该金属配合物含过渡金属原子或镧系元素作为中心原子, 特别是元素周期表中的第7、8、9、10或11族的过渡金属,优选Ir、Pt、 Au、Re、Rh、Ru、Os、Pd、Ag、Zn;特别优选是铱、铂和金。其中也可 键合多于一个经取代或未经取代的胍基-配体。
下面以hpp-配体示例性示出根据本发明可能的该胍基-配体在金属中 心上的键合可能性。该配体可仅配位到金属中心上或起桥接作用。在本发 明意义上,也可是混合的变型方案,其中hpp-配体呈双齿键合在第一金属 原子上,而另一桥接在第一金属原子和第二金属原子上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880109386.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于自动地处理长方体形工件的铣削方法和机械工具
- 下一篇:半导体系统