[发明专利]电介质蚀刻中的形貌控制

权利要求书

1.一种蚀刻电介质层的方法，该电介质层设在基片上方和具有线 距图案的图案化掩模下方，该方法包括：

提供包括CF₄，COS和含氧气体的蚀刻剂气体，其中CF₄的气体流率的比率大于所有反应性气体组分的总的气体流率 的50％；

由该蚀刻剂气体形成等离子；以及

利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质 层蚀刻成该线距图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中COS的气体流率在该CF₄的气体流率的1％和50％之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该COS的气体流率在该CF₄的气体流率的2％和20％之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该COS的气体流率在该CF₄的气体流率的3％和15％之间。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其中该蚀刻剂气体进一 步包括Ar、He或Xe或其混合物之一作为载体气体。

6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其中该蚀刻剂气体进一 步包括氢氟碳化合物气体。

7.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其中该电介质层是SiN、 SiO₂或四乙基原硅酸盐(TEOS)之一。

8.一种减少电介质层蚀刻中弯曲的方法，该电介质层设在基片上 方和具有线距图案的图案化掩模下方，该方法包括：

提供包括CF₄、COS和含氧气体的蚀刻剂气体，CF₄的气 体流率的比率大于所有反应性气体组分的总的气体流率的 50％，COS的气体流率的比率在该CF₄的气体流率3％和15％ 之间；

由该蚀刻剂气体形成等离子；以及

利用该来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介 质层蚀刻成该线距图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该蚀刻剂气体进一步包括 Ar、He或Xe或其混合物之一作为载体气体。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中该蚀刻剂气体进一步包 括氢氟碳化合物气体。

11.根据权利要求8或9所述的方法，其中该电介质层是SiN、SiO₂或四乙基原硅酸盐(TEOS)之一。

12.一种蚀刻电介质层的设备，该电介质层设在基片上方和具有线 距图案的图案化掩模下方，该设备包括：

用于提供包括CF₄、COS和含氧气体的蚀刻剂气体装置 该装置进一步包括用于控制CF₄的气体流率从而其比率大于 所有反应性气体组分的总的气体流率的50％的装置；

用于由该蚀刻剂气体形成等离子的装置；以及

用于利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电 介质层蚀刻成该线距图案的装置。

13.根据权利要求12所述的设备，其中用于提供蚀刻剂气体的装 置进一步包括：

用于控制COS的气体流率在该CF₄的气体流率的1％和 50％之间的装置。

14.根据权利要求12所述的设备，其中该用于提供蚀刻剂气体的 装置进一步包括：

用于控制该COS的气体流率在该CF₄的气体流率的2％ 和20％之间的装置。

15.根据权利要求12所述的设备，其中该用于提供蚀刻剂气体的 装置进一步包括：

用于控制该COS的气体流率在该CF₄的气体流率的3％ 和15％之间的装置。