[发明专利]硫属化物膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200880109516.2 | 申请日： | 2008-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN101809775A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫属化物膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其 特征在于，在所述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在所述接触孔内 埋入由硫属化合物形成的六方晶的结晶层，所述底膜是与所述结晶层相比，由 更微细的硫属化合物形成的面心立方晶的微细结晶层。
2.根据权利要求1所述的硫属化物膜，其中，所述硫属化合物含有选自由 S、Se和Te构成的组中的一种或者两种以上。
3.根据权利要求1所述的硫属化物膜，其中，所述硫属化合物含有30重量 ％～60重量％的Te、10重量％～70重量％的Ge、10重量％～40重量％的Sb、 10重量％～70重量％的Se，并且这些Te、Ge、Sb以及Se的含量的总计为100 重量％以下。
4.一种硫属化物膜的制造方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内通过 溅射形成硫属化物膜，其特征在于，该制造方法具备如下工序：
将所述基板的温度保持在200℃以下的同时，在所述接触孔的至少底部形成 底膜的工序；和
将所述基板的温度保持在硫属化合物的构成元素不挥发的温度的同时，在所 述底膜上且在所述接触孔内，通过溅射以及回流来埋入由硫属化合物形成的六 方晶的结晶层的工序，
所述底膜是与所述结晶层相比，由更微细的硫属化合物形成的面心立方晶的 微细结晶层。
5.根据权利要求4所述的硫属化物膜的制造方法，其中，在埋入所述结晶 层的工序中，所述基板的温度为250℃～400℃。
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