[发明专利]发出辐射半导体构件、用于发出辐射半导体构件的容纳件以及用于制造发出辐射半导体构件的方法

说明书

基于半导体的构件、用于基于半导体的构件的容纳件以及用于制 造基于半导体的构件的方法

此专利申请要求德国专利申请102007046744.5及 102008005345.7的优先权，其公开内容通过引用纳入本文中。

本申请涉及一种具有发出辐射特性的、基于半导体的构件、用于 基于半导体的构件的容纳件及用于制造基于半导体的构件的方法。

具有发出辐射特性的、基于半导体的构件(例如发光二极管)大多 如此构造，使得在由塑料金属复合物制成的壳体或由陶瓷制成的壳体 中安装或嵌入具有发出辐射特性的半导体元件。在此类基于半导体的 构件的生产过程期间，通过焊接过程或粘合过程将半导体元件安装在 壳体中。

具有发出辐射特性的半导体元件(例如薄膜发光二极管)可分成电 流垂直流过型半导体元件或电流水平流过型半导体元件。在电流于垂 直方向上流过的半导体元件中，基于半导体的构件的安装面构造为单 独的电接触部。第二电接触部设置在半导体元件的发出辐射侧。此接 触部通常利用接合线进行接触。具有水平电流的半导体元件如此构 造，使得在半导体元件的安装面上构造两个电接触部。

尤其在电流垂直流过型半导体元件中，第一及第二电接触部在半 导体元件的主延伸平面的面法线方向上相继。在电流水平流过型半导 体元件中，第一及第二电接触部或第一及第二电接触部的区域在俯视 图中在主延伸平面上并排设置。

有利的是，电流尤其不只是垂直或水平的。而是，优选在垂直电 流流过型半导体元件中具有横向电流拓宽(Stromaufweitung)。尤其是， 在水平电流流过的半导体元件中，电流在半导体元件内至少部分地具 有与主延伸平面上的面法线平行的分量。

不依赖于半导体元件自身的构造方式，在壳体中通过利用透明树 脂或另一封装材料浇铸来额外保护半导体元件免受外部影响。通过壳 体实现静态稳定性以及保护半导体元件免受机械负荷，该壳体保护 式、承载式地包围半导体元件。通过包覆壳体来给出基于半导体的发 出辐射构件的结构尺寸，该结构尺寸大大超过半导体元件自身的大 小。这阻碍了构件的进一步微型化的可能。

因此，本发明的目的在于说明一种具有发出辐射特性的、基于半 导体的构件，该构件可进一步微型化。

此目的通过根据并列的权利要求的构件、容纳件及方法来实现。 有利的设计及改型在各个从属权利要求中说明。权利要求的公开内容 明确地通过引用纳入说明书中。

说明一种具有发出辐射特性的、基于半导体的构件，其中设有玻 璃衬底。具有发出辐射特性的、基于半导体的构件具有发出辐射半导 体元件，如光电半导体芯片。半导体元件尤其具有半导体层序列，例 如外延半导体层序列，该半导体层序列包括为产生辐射而设有的有源 区。有利地，有源区包括用于产生辐射的pn结、双异质结构和/或量 子阱结构。

玻璃衬底基本上具有两个表面，该两个表面设置成彼此相对并且 尤其彼此平行。在玻璃衬底的第一表面上设置有半导体元件，该半导 体元件具有发出辐射特性。半导体元件在此表面上如此设置，使得辐 射方向指向玻璃衬底并进一步指向该玻璃衬底中。在此，该辐射方向 尤其是指与半导体元件的主延伸平面垂直的方向，其中半导体元件在 工作时发射电磁辐射。有利的是，玻璃衬底构造成半导体元件的承载 元件。

在一种设计中，基于半导体的构件具有基本上正方形的基本形 式。在一种改型中，其具有基本上3mm的边长。在另一设计中，其 具有基本上0.85mm的厚度。在其它设计中，构件的横向尺寸与玻璃 衬底的横向尺寸相同。

在一种设计中，半导体元件构造为薄膜发光二极管。对于具有水 平电流的半导体元件，尤其是对于薄膜发光二极管，作为承载元件的 玻璃衬底构成主要优点，因为尤其是在薄膜发光二极管的情况下，在 生产过程期间将生长衬底分离。此生长衬底在生产过程期间构成此半 导体元件的承载元件。由于在生产过程期间分离生长衬底，需要具有 承载特性的备选元件。玻璃衬底不仅提供承载特性，而且保护半导体 元件免受机械负荷。