[发明专利]硅蚀刻液和蚀刻方法有效
| 申请号： | 200880109890.2 | 申请日： | 2008-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101884095A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 矢口和义;外赤隆二 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅蚀刻液，其特征在于，该硅蚀刻液各向异性地溶解单晶硅，其为含有(1)氢氧化季铵和(2)氨基胍盐的水溶液。
2.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，(1)氢氧化季铵为氢氧化四甲铵。
3.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，(2)氨基胍盐选自氨基胍碳酸氢盐、氨基胍硫酸盐、氨基胍盐酸盐和氨基胍硝酸盐中的1种以上。
4.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，(1)氢氧化季铵的浓度为3～30质量％，(2)氨基胍盐的浓度为1～20质量％。
5.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其pH值为11以上。
6.一种硅蚀刻方法，其具有将蚀刻对象物浸渍于权利要求1所述的硅蚀刻液的工序。
7.根据权利要求6所述的硅蚀刻方法，其中，(2)氨基胍盐选自氨基胍碳酸氢盐、氨基胍硫酸盐、氨基胍盐酸盐和氨基胍硝酸盐中的1种以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
