[发明专利]对于能收集光元件的改进

权利要求书

1.具有玻璃功能的含碱金属的基材(1，1’)，其包含用于与以基于吸收性材料的黄铜矿类型层连接的第一主面，和第二主面，其特征在于，在第二主面的至少一部分表面上含有至少一个基于氮化硅的碱金属阻挡层(9)。

2.根据权利要求1所述的基材，其特征在于，在第一主面的至少一部分表面上含有至少一个碱金属阻挡层(9’)。

3.根据权利要求1或2所述的基材，其特征在于，阻挡层(9’)是基于电介质材料的。

4.根据权利要求3所述的基材，其特征在于，电介质材料是基于硅的氮化物、氧化物或氮氧化物、或者铝的氮化物、氧化物或氮氧化物，它们单独使用或混合使用。

5.根据权利要求1或3所述的基材，其特征在于，基于氮化硅的层是亚化学计量的。

6.根据权利要求1或3所述的基材，其特征在于，基于氮化硅的层是过化学计量的。

7.根据前面的权利要求中任一项所述的基材，其特征在于，阻挡层的厚度是在3到200nm之间，优选地在20到100nm之间，且几乎接近50nm。

8.能够收集光的元件，其使用至少一个根据前面任何权利要求任一项所述的基材。

9.根据权利要求8所述的能收集光的元件，其包含有玻璃功能的第一基材(1)和有玻璃功能的第二基材(1’)，所述基材在两个形成电极的导电层(2，6)之间夹入至少一个能够将光能转换为电能的基于吸收剂材料的黄铜矿类型的功能层(3)，其特征在于，基材(1，1’)中至少一个是基于碱金属的并在它的主面中的一个上含有至少一个碱金属阻挡层(9，9’)。

10.根据权利要求9所述的元件，其特征在于，未覆盖阻挡层(9)的基材(1’)主面的至少一部分表面含有基于钼的导电层(2)。

11.根据权利要求9或10所述的元件，其特征在于，在导电层(2)和基材(1’)的主面之间插入碱金属阻挡层(9’)。

12.根据权利要求9到11中之一所述的元件，其特征在于，碱金属阻挡层是基于电介质材料的。

13.根据权利要求9到12中之一所述的元件，其特征在于，电介质材料是基于硅的氮化物、氧化物或氮氧化物，或者铝的氮化物、氧化物或氮氧化物的，它们单独使用或者混合使用。

14.根据权利要求9到13中之一所述的元件，其特征在于，阻挡层厚度是在3到200nm之间，优选地20到100nm之间，且几乎接近50nm。

15.根据权利要求13所述的元件，其特征在于，阻挡层是基于氮化硅的。

16.根据权利要求15所述的元件，其特征在于，基于氮化硅的层是亚化学计量的。

17.根据权利要求15所述的元件，其特征在于，基于氮化硅的层是过化学计量的。

18.在根据权利要求9的元件中使用的基材的制备方法，其特征在于，阻挡层(9，9’)和导电层(2)或第二阻挡层(9，9’)借助于“上”和“下”磁控溅射方法进行沉积。