[发明专利]改进的碳化硅颗粒及其制造方法和使用方法

权利要求书

1.包括碳化硅的纳米颗粒。

2.如权利要求1所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒具有与硅石相似的表面化学性。

3.如权利要求2所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒包括具有其至少部分的表面涂覆有二氧化硅的颗粒，这样这些碳化硅颗粒具有与硅石相似的表面化学性。

4.如权利要求1所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒包括具有硅石覆盖了至少50％它们的表面的颗粒。

5.如权利要求4所述的颗粒，其中硅石覆盖了至少80％的这些颗粒的表面。

6.如权利要求4所述的颗粒，其中碳化硅颗粒基本上被硅石包封。

7.如权利要求1所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒的平均粒径为400nm或更小。

8.如权利要求1所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒的平均粒径为300nm或更小。

9.如权利要求1所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒的平均粒径为200nm或更小。

10.如权利要求1所述的颗粒，其中这些碳化硅颗粒的平均粒径为100nm或更小。

11.如权利要求3所述的颗粒，其中该硅石涂层由这些碳化硅颗粒的氧化形成。

12.如权利要求11所述的颗粒，其中该氧化产生了碳化硅颗粒，这些碳化硅颗粒包括一个硅石涂层，该硅石涂层的粒径基本上与氧化之前这些碳化硅颗粒的粒径相同。

13.如权利要求1所述的颗粒，其中该碳化硅是纳米α-碳化硅。

14.如权利要求1所述的颗粒，其中该碳化硅是β-碳化硅。

15.如权利要求1所述的颗粒，其中这些颗粒是磨料颗粒。

16.一种磨料浆料组合物，包括根据权利要求15的碳化硅颗粒的一种分散体。

17.如权利要求16所述的磨料浆料组合物，其中该碳化硅在水性介质中在至少大约0.01wt％的浓度下存在。

18.如权利要求16所述的磨料浆料组合物，其中该碳化硅在该水介质中在至少大约0.1wt％的浓度下存在。

19.如权利要求16所述的磨料浆料组合物，其中该碳化硅在该水介质中在至少大约1wt％的浓度下存在。

20.如权利要求16所述的磨料浆料组合物，其中该碳化硅在该水介质中在从约5％到约50％范围内的浓度下存在。

21.制备一种磨料颗粒的一种方法，包括：

制备包括碳化硅的纳米磨料颗粒。

22.如权利要求21所述的方法，其中这些碳化硅颗粒如此制备以使这些碳化硅颗粒具有与硅石相似的表面化学性。

23.如权利要求22所述的方法，其中该表面化学性通过氧化该碳化硅提供。

24.如权利要求23所述的方法，其中该氧化的碳化硅颗粒的粒径基本上与氧化之前这些碳化硅颗粒的粒径相同。

25.如权利要求21所述的方法，其中这些碳化硅颗粒包括α-碳化硅颗粒。

26.如权利要求21所述的方法，其中这些碳化硅颗粒包括β-碳化硅颗粒。

27.如权利要求21所述的方法，其中这些碳化的颗粒基本上被硅石包封。

28.如权利要求21所述的方法，其中这些碳化硅颗粒通过使硅石和碳的一种混合物在至少2000℃的温度下反应而制备。

29.一种化学机械平面化(CMP)的方法，包括：

用一种磨料浆料组合物研磨一个基底，该组合物包括根据权利要求1的碳化硅颗粒的一种分散体。

30.如权利要求29所述的方法，其中该基底包括一个金属层，并且该金属层被研磨。

31.如权利要求30所述的方法，其中该金属层是一种贵金属。

32.如权利要求29所述的方法，其中该基底包括一个绝缘体层，并且该绝缘体被研磨。

33.如权利要求32所述的方法，其中该绝缘体层包含硅酸盐基团。