[发明专利]形成陶瓷氧化硅类涂层的方法,生产无机基材的方法,形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂,和半导体器件

权利要求书

1.一种形成陶瓷氧化硅类涂层的方法，该方法包括：

在无机基材的表面上形成包含用硅氧烷单元式(1)表示的有机基氢硅氧烷·氢硅氧烷共聚物的涂层：

(HRSiO_2/2)_n(HSiO_3/2)_m    (1)

在该式中，R是选自C_1-10烷基和C_6-10芳基的单价烃基，n是平均值为0.01≤n≤0.80的数，和n+m＝1；和

然后在惰性气体或其中氧气小于20体积％的含氧气的惰性气体内，加热该涂布的无机基材到高温，以将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层。

2.权利要求1的形成陶瓷氧化硅类涂层的方法，其中惰性气体是氮气。

3.权利要求1或2的形成陶瓷氧化硅类涂层的方法，其中加热温度为300-600℃。

4.一种生产表面上具有陶瓷氧化硅类涂层的无机基材的方法，该方法包括：

在无机基材的表面上形成包含用硅氧烷单元式(1)表示的有机基氢硅氧烷·氢硅氧烷共聚物的涂层：

(HRSiO_2/2)_n(HSiO_3/2)_m    (1)

在该式中，R是选自C_1-10烷基和C_6-10芳基的单价烃基，n是平均值为0.01≤n≤0.80的数，和n+m＝1；和

然后在惰性气体或其中氧气小于20体积％的含氧气的惰性气体内，加热该涂布的无机基材到高温，以将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层。

5.权利要求4的生产无机基材的方法，其中无机基材是金属基底、陶瓷基底、玻璃基底、石英基底或电子器件。

6.权利要求5的生产无机基材的方法，其中金属基底是薄且挠性的金属板。

7.权利要求6的生产无机基材的方法，其中薄且挠性的金属板是不锈钢箔。

8.一种形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂，该试剂包含(A)用硅氧烷单元式(1)表示的有机基氢硅氧烷·氢硅氧烷共聚物：

(HRSiO_2/2)_n(HSiO_3/2)_m    (1)

在该式中，R是选自C_1-10烷基和C_6-10芳基的单价烃基，n是平均值为0.01≤n≤0.80的数，和n+m＝1；或者包含组分(A)和(B)溶解或稀释组分(A)所要求量的有机溶剂，且可通过在惰性气体或其中氧气小于20体积％的含氧气的惰性气体内加热到高温而转化成陶瓷氧化硅类涂层。

9.权利要求8的形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂，其中在硅氧烷单元式(1)中，n是平均值为0.05≤n≤0.50的数。

10.权利要求8或9的形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂，其中在硅氧烷单元式(1)中，R是甲基、苯基、或甲基和苯基。

11.一种半导体器件，其特征在于，在金属基底的陶瓷氧化硅类涂层上形成至少一层半导体层，所述金属基底在其表面上具有通过权利要求5的生产方法获得的陶瓷氧化硅类涂层。

12.权利要求11的半导体器件，其中金属基底是不锈钢箔；半导体层是硅半导体薄层或化合物半导体薄层；和半导体器件是薄膜太阳能电池。