[发明专利]大量制造薄膜电池的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜电池的方法，包括：

提供一基板；

在该基板上沉积对应于一薄膜电池结构的多个膜层，该些膜层依沉积顺序包括一阴极、一电解质和一阳极，其中该些沉积膜层中至少一层在沉积时未以一物理掩蔽图案化；

沉积一保护涂层；以及

利用一或多个无掩蔽物理图案化工艺来图案化该些膜层和该保护涂层。

2.权利要求1的方法，其中该基板也当作一阴极集电器。

3.权利要求1的方法，其中该保护涂层也当作一阳极集电器。

4.权利要求1的方法，其中该一或多个无掩蔽物理图案化工艺选自由激光划线、机械锯切、水/溶剂切割、离子束铣磨和光刻技术所组成的组。

5.权利要求1的方法，其中该些膜层全部未经图案化，使得所有该些膜层为平行且共同扩张。

6.权利要求1的方法，还包括在图案化后，封装该些膜层的露出边缘。

7.一种制造薄膜电池的方法，包括：

提供一第一基板；

在该第一基板上沉积一第一组膜层；

提供一第二基板；

在该第二基板上沉积一第二组膜层；

层压该第一组膜层和该第二组膜层；以及

刻划该经层压的结构，

其中结合的该第一组膜层和该第二组膜层对应于一包括阴极、电解质与阳极的薄膜电池结构，其中该第一组膜层和该第二组膜层的至少一层在沉积时未以一物理掩蔽图案化。

8.权利要求7的方法，其中该第一组膜层和该第二组膜层的所有膜层全部未经图案化，使得该第一组膜层和该第二组膜层的所有膜层为平行且共同扩张。

9.权利要求7的方法，其中该第二基板也当作一保护涂层。

10.权利要求7的方法，其中该刻划是激光划线。

11.权利要求7的方法，还包括在该刻划后，封装该些连续沉积膜层的露出边缘。

12.权利要求10的方法，还包括利用一无掩蔽物理图案化工艺来图案化该第一组膜层、该第二组膜层与该经层压的结构中至少其一。

13.一种薄膜电池，包括：

一第一基板；

一组膜层，对应于附着至该第一基板上的一薄膜电池结构，该组膜层从该第一基板起依序包括阴极、电解质、阳极和保护涂层，其中该些膜层的至少其一未经图案化；

一保护涂层，覆盖该组膜层；以及

一封装层，覆盖该组膜层的边缘。

14.权利要求13的薄膜电池，其中该组膜层全部未经图案化，使得所有该组膜层为平行且共同扩张。

15.权利要求13的薄膜电池，其中该保护涂层也当作一阳极集电器。