[发明专利]包括纳米结构的三维纳米器件

权利要求书

1.一种三维纳米器件，包括：

至少一个纳米结构，每个纳米结构包括浮在衬底之上的振荡部分和用于支撑振荡部分的两个长度方向端部的支撑部分；

支撑件，该支撑件设置在衬底上以支撑每个纳米结构的支撑部分；

至少一个控制器，其控制器设置在衬底的上部、衬底的下部、或者衬底的上部和下部，以控制每个纳米结构；以及

检测单元，该检测单元设置在每个振荡部分上，以检测外部施加的吸附材料。

2.如权利要求1所述的三维纳米器件，还包括设置在衬底之下的外部振荡部分。

3.如权利要求1所述的三维纳米器件，其中，所述控制器包括压电材料或金属材料，其设置在纳米结构的振荡部分的上部、下部或上部和下部，以与纳米结构相交并且导致振荡部分振荡。

4.如权利要求1所述的三维纳米器件，其中，所述控制器包括至少一个电极，该至少一个电极设置在振荡部分之下、衬底之上，以与纳米结构相交并且导致振荡部分振荡。

5.如权利要求1所述的三维纳米器件，其中，振荡部分为几nm到1微米的宽度、几nm到1微米的高度以及100nm到100微米的长度。

6.如权利要求1所述的三维纳米器件，其中，每个振荡部分和衬底可以由从以下构成的组中选出的一种材料形成：Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C、P、B-C、B-P(BP6)、B-Si、Si-C、Si-Ge、Si-Sn、Ge-Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr、AgI、BeSiN₂、CaCN₂ZnGeP₂、CdSnAs₂、ZnSnSb₂、CuGeP₃、CuSi₂P₃、(Cu，Ag)(Al，Ga，In，Ti，Fe)(S，Se，Te)₂、SiO₂、Si₃N₄、Ge₃N₄、Al₂O₃、(Al，Ga，In)₂(S，Se，Te)₃、Al₂CO及其组合。

7.如权利要求1所述的三维纳米器件，其中，形成多个纳米结构，其中振荡部分的长度彼此相同或彼此不同；或者形成多个纳米结构，其中振荡部分的长度部分彼此相同。

8.如权利要求7所述的三维纳米器件，其中，振荡部分根据其长度使用共振和非线性频率。

9.如权利要求8所述的三维纳米器件，其中，检测单元形成在振荡频率的最大振幅区域内，并且用于吸附材料的探针形成在最大振幅区域内。

10.如权利要求9所述的三维纳米器件，其中，检测单元可以由从金属、硅、和氧化物构成的组中选出的一种材料形成。

11.如权利要求10所述的三维纳米器件，还包括设置在检测单元上的有机探针。

12.如权利要求11所述的三维纳米器件，其中，该有机探针由从下面构成的组中选出至少一种形成：硫醇组、胺组、硅烷组、与硫醇组、胺组和硅烷组中至少一个相结合的DNA、以及包含抗体的生物材料；并且该有机探针与所提供的材料化学结合。

13.如权利要求1所述的三维纳米器件，还包括：

沿着衬底的周边形成的横向部分；

设置在横向部分的第一区域内的流体入口；

设置在横向部分的第二区域内的流体出口；以及

设置在横向部分上的顶部。