[发明专利]制造疏水化多孔膜的方法

权利要求书

1.一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括：

在衬底上形成多孔膜；

在所述衬底的温度下，向布置了所述衬底的装置中供应由硅烷化气体和惰性气体构成的气体混合物，所述衬底上形成有所述多孔膜，且所述温度在所述硅烷化气体的露点温度以上且在所述硅烷化气体的汽化温度以下；

停止向所述装置中供应所述气体混合物；以及

对上面形成有所述多孔膜的所述衬底进行加热。

2.如权利要求1所述的制造疏水化多孔膜的方法，其中在所述对所述衬底进行加热的步骤中，将所述衬底加热至350℃～450℃的温度。

3.如权利要求1或2所述的制造疏水化多孔膜的方法，其中所述硅烷化气体含有具有疏水基团的有机硅烷化合物。

4.如权利要求1或2所述的制造疏水化多孔膜的方法，其中所述硅烷化气体含有选自六甲基二硅氮烷、四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种。

5.如权利要求1～4中任一项所述的制造疏水化多孔膜的方法，其中

所述多孔膜由具有Si-O-Si键的材料构成。

6.如权利要求1～5中任一项所述的制造疏水化多孔膜的方法，其中在所述向装置中供应气体混合物的步骤中，所述装置中的所述气体混合物的压力在1kPa～30kPa的范围内。