[发明专利]成膜装置及成膜方法有效

专利信息
申请号: 200880110410.4 申请日: 2008-09-29
公开(公告)号: CN101815806A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 今北健一;森田正;山本弘辉;森本直树;锅谷章生;中村真也 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 段迎春
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种成膜方法,其对靶溅射从而在基板表面形成薄膜,所述靶包括相对于所述基板表面倾斜的溅射面,所述方法包括:

试溅射过程,包括:

通过驱动旋转机构改变所述靶的旋转角度,所述驱动机构使所述靶绕轴线旋转,所述轴线沿所述溅射面的法线延伸;

在多个不同旋转角度处分别溅射所述靶,形成多个不同的薄膜;并且

根据所述多个薄膜的膜厚均匀性,确定所述旋转角的恒定目标值;以及

主溅射过程,包括:

驱动所述旋转机构将所述靶的所述旋转角度设为所述恒定目标值;并且

在将所述靶的旋转角度保持在根据所述待溅射靶的各向  异性来设置的所述恒定目标值时,对所述靶进行溅射,直到完成用所述靶在所述基板表面形成所述薄膜,

其中将所述膜厚均匀性小于或者等于预设值的所述多个旋转角度中的一个确定为所述恒定目标值。

2.按照权利要求1所述的成膜方法,其中改变旋转角度包括:

在0°到180°范围内改变所述旋转角度。

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