[发明专利]带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

目前，半导体芯片与半导体芯片搭载用支撑部件的接合主要使用银糊剂。然而，伴随着半导体芯片的小型化、高性能化以及所使用的支撑部件的小型化、精密化，在使用银糊剂的方法中，凸显出由于糊剂的溢出或半导体芯片的偏斜所引起的接合线时产生不便、粘接剂层的膜厚难以控制及粘接剂层产生空隙等问题。另外，在小型化、高密度化要求高的便携设备等领域，正在开发、批量生产内部层叠有多个半导体芯片的半导体装置，但制造这样的半导体装置时，尤其容易凸显出上述问题。因此，近年来已开始使用膜状的粘接剂(以下称为半导体用粘接膜)代替银糊剂。

作为使用半导体用粘接膜制造半导体装置的方法，有以下方式：(1)单片粘贴方式，在带配线基材等半导体芯片搭载用支撑部件或半导体芯片上粘贴裁成任意的尺寸的半导体用粘接膜，在其上热压接半导体芯片；以及(2)晶片背面粘贴方式，在半导体晶片的背面上粘贴半导体用粘接膜厚后，用旋转刀将其单片化，得到带粘接膜的半导体芯片，再将带粘接膜的半导体芯片热压接在半导体芯片搭载用支撑部件或半导体芯片上。近年来，为了谋求半导体装置制造工序的简化，上述(2)的晶片背面粘贴方式成为主流。

如上所述，在晶片背面粘贴方式中，一般是用旋转刀将粘贴有半导体用粘接膜的半导体晶片切断。但是，当通过使用旋转刀的一般的切割方法同时切断半导体晶片和粘接膜时，存在在切断后的半导体芯片侧面产生裂纹(芯片裂纹)或在切断面上粘接膜起毛而产生许多毛刺这样的问题。如果存在这种芯片裂纹或毛刺，则在拾起半导体芯片时，半导体芯片容易破裂。尤其是难以无破裂地从薄型化的半导体晶片中拾起单片化的半导体芯片。

因此，近年来，提出了以下方法：切削形成于半导体晶片表面的用于区划的痕迹，形成切割槽，并研削晶片的背面至该切割槽，将半导体晶片分割成各半导体芯片的方法(例如参照专利文献1及2)。而且，作为在这样通过先切割的方式得到的半导体芯片的背面设置与半导体芯片同一尺寸的粘接膜的方法，有下述方法。

(a)准备通过先切割方式分割完成的半导体晶片(多个半导体芯片)、半导体用粘接膜及切割带的层叠体，通过用扩展(expand)装置将切割带扩展来分割半导体用粘接膜的方法。

(b)准备通过先切割方式分割完成的半导体晶片(多个半导体芯片)及半导体用粘接膜的层叠体，沿晶片表面的痕迹(切割完成的线)用激光切割机切断半导体用粘接膜的方法。

专利文献1：日本特开2002-016021号公报

专利文献2：日本特开2003-367933号公报

然而，上述(a)方法中存在下述问题：另外需要扩展装置，并且产生分割半导体用粘接膜时的来自芯片端部的膜伸出及毛刺等溢出。另外，上述(b)的方法中，另外需要激光切割装置，并且需要用于与痕迹错位(半位移)的情况对应的每个线的识别作业，因此，难以短时间且有效地切断半导体用粘接膜。这样，即使在制造半导体装置时应用先切割方式的情况下，要谋求组装性及可靠性的并存，也需要对粘接膜的分割做进一步改良。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供带粘接膜半导体芯片的制造方法及优选用于该带粘接膜半导体芯片的制造方法的半导体用粘接膜，所述带粘接膜半导体芯片的制造方法在由半导体晶片高成品率地得到半导体芯片的同时，可以得到粘贴有毛刺非常少、与半导体芯片大致为同一形状的粘接膜的带粘接膜半导体芯片。本发明还提供可兼顾组装性和可靠性的半导体装置的制造方法，

为解决上述课题，本发明的带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其至少将由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片、半导体用粘接膜和切割带进行层叠，所述由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片是通过在半导体晶片的一个面上以比半导体晶片的厚度小的深度形成将半导体晶片区分成多个半导体芯片的切痕、并将半导体晶片的未形成切痕的另一个面研削至达到切痕而得到的，所述半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％；将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。