[发明专利]多级单元NAND中的非相等阈值电压范围

权利要求书

1.一种对多级单元存储器进行编程的方法，其包含： 

在每一单元内指派多个阈值电压范围，为存储器单元的每一级指派一范围； 

通过向目标存储器单元施加编程脉冲以增加所述目标存储器单元的阈值电压来编程所述目标存储器单元，以达到或超过多个所要阈值电压电平中的所要阈值电压电平，以及在所述目标存储器单元的阈值电压小于所要阈值电压电平的情况下向所述目标存储器单元重新施加编程脉冲； 

其中所述多个阈值电压范围具有非相等的大小，每一阈值电压范围表示一数据位模式，其中所述所要阈值电压电平的最低者在所述阈值电压范围中的最大者内，且所述所要阈值电压电平的最高者在所述阈值电压范围的最小者内。 

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定大小进一步包含随着所述级的所述阈值电压增加而通过电平降低所述阈值电压范围的大小。 

3.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包含根据每一范围内的预期编程干扰而调整所述多个阈值电压范围。 

4.根据权利要求3所述的方法，其中调整包含随着阈值电压值的增加而指派逐渐变窄的阈值电压范围。 

5.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包含根据每一范围内的预期电荷丢失或得到而调整所述多个阈值电压范围。 

6.一种存储器装置，其包含： 

存储器单元阵列，每一存储器单元能够每单元存储多个电平；以及 

用于控制及/或存取所述存储器单元阵列的电路； 

所述用于控制及/或存取所述存储器单元阵列的电路适于将存储器单元编程到多个阈值电压范围中的一者内的阈值电压，所述多个阈值电压范围中的每一者对应于不同的数据值且每一阈值电压范围具有不同的大小，其中所述阈值电压范围中的最大者是在最低阈值电压电平处，且所述阈值电压范围的最小者是在最高阈值电压电平处。 

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述多个范围的大小被确定为从针对最低阈值电压的最大阈值电压范围到针对最高阈值电压的最小阈值电压范围。 

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储器装置为固态存储器装置。 

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述固态存储器装置为NAND固态存储器装置。