[发明专利]金属薄膜形成方法及导电性粒子

权利要求书

1.一种金属薄膜形成方法，其是通过无电解镀在粒径为0.5μm～100μm的非导电性粒子上形成金属薄膜的金属薄膜形成方法，其特征在于，

上述无电解镀在对上述非导电性粒子进行附着金属核的预处理之后实施，并且在具有硫醇基的硅烷化合物的存在下，形成由银构成的上述金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的金属薄膜形成方法，其特征在于，在将上述具有硫醇基的硅烷化合物和水的混合液，与上述非导电性粒子接触之后，开始进行上述无电解镀。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的金属薄膜形成方法，其特征在于，上述具有硫醇基的硅烷化合物是3-巯基丙基三乙氧基硅烷。

4.根据权利要求1至权利要求3的任何一项所述的金属薄膜形成方法，其特征在于，上述无电解镀通过银镜反应实施。

5.根据权利要求1至权利要求4的任何一项所述的金属薄膜形成方法，其特征在于，上述预处理是如下进行的处理，将含有硅烷偶联剂、水解催化剂及金属盐的处理液，与上述非导电性粒子接触之后，用还原剂，使上述金属盐中的金属析出，从而附着金属核，

上述硅烷偶联剂具有可与上述金属盐中的金属形成螯合物的官能团。

6.根据权利要求1至权利要求5的任何一项所述的金属薄膜形成方法，其特征在于，上述金属核的金属是金或银。

7.一种导电性粒子，其为通过在非导电性粒子的整个表面上形成的金属薄膜而被赋予导电性的导电性粒子，其特征在于，

上述非导电性粒子的粒径在0.5μm～100μm的范围内，

上述金属薄膜由单层银构成。

8.根据权利要求7所述的导电性粒子，其特征在于，在上述导电性粒子的X射线荧光分析中，作为除上述非导电性粒子所含元素之外的元素，仅检出金、银及硫。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的导电性粒子，其特征在于，该导电性粒子用做液晶显示部件的密封剂。

10.根据权利要求7或权利要求8所述的导电性粒子，其特征在于，该导电性粒子用做各向异性导电性材料。