[发明专利]用于生产高纯六氟化钨的方法和设备有效
申请号: | 200880111345.7 | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101827788A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | R·A·霍格尔;C·马;D·普雷科特;W·H·惠斯洛克;D·P·小撒切尔 | 申请(专利权)人: | 琳德北美股份有限公司 |
主分类号: | C01G41/04 | 分类号: | C01G41/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋;周承泽 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生产 高纯 氟化 方法 设备 | ||
1.一种纯化含有过渡金属化合物杂质的六氟化钨气体的方法,该方法以下步 骤组成:
通过以下步骤从六氟化钨气体分离过渡金属杂质:
将初始六氟化钨气流引至含有含碳材料的密封容器;
在一定温度下使过渡金属化合物杂质吸附在含碳材料上,使得六氟化钨 气体通过该密封容器;和
收集通过该密封容器的六氟化钨气体,
所述密封容器的操作温度为275-500K,
所述密封容器的操作压力为110-500kPa。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括蒸馏所收集 的六氟化钨气体以去除其他杂质。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,以向上流动的方向引导所述初始 六氟化钨气流通过所述含碳材料。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,以向下流动的方向引导所述初始 六氟化钨气流通过所述含碳材料。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述过渡金属杂质包括元素周期 表的第IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII、IB和IIB族中的那些元素。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述过渡金属杂质包括元素周期 表的镧系和锕系中的那些元素。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述过渡金属杂质是钼化合物和 铬化合物。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封容器的操作温度为 300-400K。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封容器的操作压力为 110-300kPa。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封容器中的时空为1秒 至10分钟,所述时空定义为含碳材料体积与进料体积流速的比值。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封容器中的时空为10秒 至5分钟,所述时空定义为含碳材料体积与进料体积流速的比值。
12.一种从六氟化钨气体分离过渡金属杂质的方法,所述方法由以下步骤组 成:
将含有过渡金属杂质的初始六氟化钨气流引至含有含碳材料的密封容器;
在一定的温度下将过渡金属杂质吸附在含碳材料上,使得六氟化钨气体通过 所述密封容器,
所述密封容器的操作温度为275-500K,
所述密封容器的操作压力为110-500kPa。
13.一种用于纯化六氟化钨的系统,所述系统由以下部件组成:
初始六氟化钨的来源;
其中具有含碳材料固定床的密封容器,操作所述固定床从六氟化钨去除过渡 金属化合物杂质,产生纯化的六氟化钨。
14.一种用于纯化六氟化钨的系统,所述系统由以下部件组成:
初始六氟化钨的来源;
其中具有含碳材料固定床的密封容器,操作所述固定床从六氟化钨去除过渡 金属化合物杂质,产生纯化的六氟化钨,
所述系统进一步包括与所述密封容器连接的蒸馏单元,其中操作所述蒸馏单 元以去除高挥发性和低挥发性的杂质,形成纯化的六氟化钨,产生高纯六氟化钨。
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