[发明专利]记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种记录介质，包含：

衬底：

在所述衬底上形成的记录层；

在所述记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层；以及

布置在所述第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。

2.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第二硬度大于所述第一硬度。

3.如权利要求2所述的记录介质，其中所述第一硬度是2H以下。

4.如权利要求2所述的记录介质，其中所述第二硬度是2H以上。

5.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第一覆盖层具有第一折射率，第二覆盖层具有第二折射率。

6.如权利要求5所述的记录介质，其中所述第二折射率大于所述第一折射率。

7.如权利要求1所述的记录介质，其中通过包含光学系统的记录/复制设备对所述记录介质进行记录/复制。

8.如权利要求7所述的记录介质，其中所述记录介质的第二覆盖层的第二折射率大于所述光学系统的数值孔径。

9.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第一覆盖层由聚合物和纳米复合材料中的至少一种构成。

10.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第二覆盖层由至少一种电介质材料构成。

11.如权利要求10所述的记录介质，其中所述第二覆盖层包含Si₃N₄和ZnS中的至少一种。

12.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第二覆盖层包含氧化硅(SiO₂)。

13.如权利要求12所述的记录介质，其中所述第二覆盖层还包含金属氧化物。

14.如权利要求13所述的记录介质，其中所述第二覆盖层由复合物(SiO₂)_1-X+(金属氧化物)_x构成。

15.如权利要求14的记录介质，其中复合物的x为0.1～0.9。

16.如权利要求14所述的记录介质，其中复合物的x为0.2～0.8。

17.如权利要求13的记录介质，其中所述金属氧化物为选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、W、Os、Ir、Pt、Al、Ge、In和Sn的氧化物中的至少一种。

18.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第二覆盖层的折射率为1.5～2.2。

19.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的总厚度为1～5μm。

20.如权利要求1所述的记录介质，其中所述第二覆盖层为抗反射层。

21.一种制造记录介质的方法，包括：

在衬底上形成记录层；

在所述记录层上形成具有第一硬度的第一覆盖层；以及

在所述第一覆盖层上形成具有第二硬度的第二覆盖层。

22.如权利要求21所述的方法，其中通过物理汽相淀积(PVD)或化学汽相淀积(CVD)形成所述第二覆盖层。

23.如权利要求21所述的方法，其中所述第二硬度大于所述第一硬度。

24.如权利要求21所述的方法，其中所述第一硬度为2H以下。

25.如权利要求21所述的方法，其中所述第二硬度为2H以上。

26.如权利要求21所述的方法，其中所述第一覆盖层具有第一折射率，所述第二覆盖层具有第二折射率。

27.如权利要求26所述的方法，其中所述第二折射率大于所述第一折射率。

28.如权利要求21所述的方法，其中通过包含光学系统的记录/复制设备对所述记录介质进行记录/复制。

29.如权利要求28所述的方法，其中所述记录介质的第二覆盖层的第二折射率大于所述光学系统的数值孔径。