[发明专利]金属包覆的聚酰亚胺复合体、该复合体的制造方法以及电子电路板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880111984.3 申请日: 2008-09-16
公开(公告)号: CN101827958A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 古曳伦也;道下尚则;牧野修仁 申请(专利权)人: 日矿金属株式会社
主分类号: C25D7/00 分类号: C25D7/00;B32B15/08;B32B15/088;C23C28/02;C25D5/56;C25D7/06;H05K3/38
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属 聚酰亚胺 复合体 制造 方法 以及 电子 电路板
【权利要求书】:

1.一种金属包覆的聚酰亚胺复合体,具有通过非电解镀敷或干式法形成于聚酰亚胺膜的表面上的连接层及金属种层、和进一步通过电镀形成于其上的铜或铜合金层,其中,所述铜或铜合金镀敷层具备3层~1层的铜或铜合金层,在铜或铜合金层为3层~2层的情况下,在该铜或铜合金层的边界具有杂质富集部,在铜或铜合金层为1层的情况下,不具有杂质富集部。

2.如权利要求1所述的金属包覆的聚酰亚胺复合体,其特征在于,所述连接层包含镍、铬、钴、镍合金、铬合金、钴合金中的任一种,所述金属种层为铜或铜合金。

3.一种金属包覆的聚酰亚胺复合体的制造方法,在通过非电解镀敷或干式法在聚酰亚胺膜的表面形成连接层及金属种层后,进一步通过电镀在其上形成3层~1层的铜或铜合金层,其中,

形成如下所述的铜或铜合金层:在所述铜或铜合金层为3层~2层的情况下,在该铜或铜合金层的边界具有杂质富集部,在铜或铜合金层为1层的情况下,不具有杂质富集部。

4.如权利要求3所述的金属包覆的聚酰亚胺复合体的制造方法,其特征在于,

通过非电解镀敷或干式法在聚酰亚胺膜的表面形成连接层及金属种层后,使所述形成有连接层及金属种层的聚酰亚胺膜绕镀敷用滚筒旋转而进行电镀时,将电镀区域设定为1~4个区域,形成铜或铜合金的电镀层。

5.如权利要求3或4所述的金属包覆的聚酰亚胺复合体的制造方法,其特征在于,在1~2个槽中进行电镀。

6.一种电子电路板的制造方法,其特征在于,使用权利要求1或2所述的金属包覆的聚酰亚胺复合体,通过蚀刻形成铜或铜合金的电路后,对该铜或铜合金的电路实施镀锡。

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