[发明专利]具有集成的彩色干涉膜堆叠的光伏装置无效
申请号: | 200880112218.9 | 申请日: | 2008-10-01 |
公开(公告)号: | CN101828144A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 马尼什·科塔里;徐刚;卡斯拉·哈泽尼 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/133;G02B26/00;G02B5/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 彩色 干涉 堆叠 装置 | ||
1.一种光伏装置,其包含:
光伏活性材料;以及
干涉堆叠,其覆盖所述光伏活性材料的第一侧,其中所述干涉堆叠经配置以选择性地增强可见波长范围内的选择波长的反射,以在所述第一侧上反射可见色彩。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述光伏活性材料包含位于所述装置的前侧上的前部电极区域,和位于所述装置的所述前侧上的邻近于所述前部电极区域的窗区域。
3.根据权利要求2所述的装置,其中在所述窗区域的前部被反射出所述干涉堆叠的可见光的反射率相对于可见入射光大于10%。
4.根据权利要求2所述的装置,其中在所述窗区域的前部被反射出所述干涉堆叠的可见光的反射率相对于可见入射光大于15%。
5.根据权利要求1所述的装置,其中在峰值波长下的反射比在20%与95%之间。
6.根据权利要求1所述的装置,其中在峰值波长下的反射比大于80%。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一侧为所述光伏装置的光入射侧,且其中所述干涉堆叠经配置以使光选择性地透射穿过到达所述光伏材料,使得所述选择性地透射的光被转化为电流。
8.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含位于所述干涉堆叠的光入射侧上的额外膜。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述额外膜包含钝化或抗反射层。
10.根据权利要求1所述的装置,其中被反射出所述干涉堆叠的所述色彩在所述光伏装置上是大体上均一的。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述光伏电池包含选自由以下各项组成的群组的光伏材料:单晶硅、非晶硅、锗、III-V半导体、硒化铜铟镓、碲化镉、砷化镓、氮化铟、氮化镓、砷化硼、氮化铟镓,和串联多结光伏材料。
12.根据权利要求1所述的装置,其中所述光伏电池包含干涉增强型光伏电池。
13.根据权利要求1所述的装置,其中所述干涉堆叠包含二向色光学膜对。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述干涉堆叠包含多个二向色光学膜对。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述多个二向色对包含对于所述装置上的不同区域是不同的二向色对数目,每一区域具有对应于不同经反射色彩的不同二向色对数目。
16.根据权利要求14所述的装置,其中包含所述二向色对的光学薄膜的厚度对于所述装置上的不同区域是不同的,每一区域具有对应于不同经反射色彩的不同光学薄膜厚度。
17.根据权利要求14所述的装置,其中包含包含所述二向色对的光学薄膜的材料对于所述装置上的不同区域是不同的,每一区域具有对应于不同经反射色彩的不同光学薄膜材料。
18.根据权利要求1所述的装置,其中所述干涉堆叠包含吸收器和光学谐振腔,其中所述光学谐振腔面向所述光伏活性材料。
19.根据权利要求18所述的装置,其中所述干涉堆叠进一步包含部分反射器,使得所述光学谐振腔位于所述吸收器与所述反射器之间。
20.根据权利要求19所述的装置,其中所述光学谐振腔包含具有一高度的气隙,所述高度是由将所述吸收器与所述部分反射器分离的支撑件形成。
21.根据权利要求20所述的装置,其中所述干涉堆叠包含活性微机电系统(MEMS)装置,其具有可以电磁方式改变所述光学谐振腔的大小的反射器。
22.根据权利要求18所述的装置,其中所述光学谐振腔包含电介质。
23.根据权利要求18所述的装置,其中所述光学谐振腔包含导体。
24.根据权利要求18所述的装置,其中所述光学谐振腔包含光学薄膜。
25.根据权利要求24所述的装置,其中所述光学薄膜具有在约1与3之间的折射率(n)。
26.根据权利要求25所述的装置,其中所述光学薄膜的厚度在约42/n nm与700/n nm之间。
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