[发明专利]形成气隙结构的方法和系统无效
申请号: | 200880112231.4 | 申请日: | 2008-10-14 |
公开(公告)号: | CN101828249A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 刘俊军;多雷尔·I·托玛 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L23/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 结构 方法 系统 | ||
1.一种用于在衬底上形成气隙结构的方法,包括:
在衬底上形成牺牲层,其中,所述牺牲层包括在350摄氏度以上的热 分解温度下热分解的可分解材料;
在小于所述牺牲层的所述热分解温度的衬底温度下,在所述牺牲层上 形成盖层;
通过执行所述衬底的第一次UV辐射曝光并且将所述衬底加热到小于 所述牺牲层的所述热分解温度的第一温度,来使得所述牺牲层分解;
经由所述盖层移除经分解的所述牺牲层;并且
通过执行所述衬底的第二次UV辐射曝光并且将所述衬底加热到大于 所述第一温度的第二温度,来将所述盖层硬化而使得所述盖层交联。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一温度导致在所述盖层 中所述衬底的所述第一次UV辐射曝光的光化学反应速率较低。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述牺牲层在大于375摄氏度 的热分解温度下热分解。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述牺牲层在大于425摄氏度 的热分解温度下热分解。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一温度小于350摄氏 度。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一温度小于300摄氏 度。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述分解包括通过在所述衬底 上的特定区域处选择性地执行所述牺牲层的所述第一次曝光,来在所述衬 底上的所述特定区域处选择性地分解所述牺牲层。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,将所述牺牲层选择性暴露到 UV辐射下包括将所述牺牲层选择性地暴露到来自一个或多个UV灯、一 个或多个UV激光器或者以上二者的UV辐射下,并且其中,将所述牺牲 层选择性暴露到UV辐射下包括经由掩模来用UV辐射照射所述牺牲层, 并且其中,形成在所述掩模中的图案对所述衬底上的一个或多个所述特定 区域进行区分。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的第一次UV辐射曝 光包括将所述衬底暴露到来自一个或多个UV灯、一个或多个UV激光器 或者以上二者的UV辐射下。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的第一次UV辐射曝 光包括将所述衬底暴露到范围从100纳米到600纳米的UV辐射下。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的第一次UV辐射曝 光包括将所述衬底暴露到范围从170纳米到320纳米的UV辐射下。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的第二次UV辐射曝 光包括将所述衬底暴露到来自一个或多个UV灯、一个或多个UV激光器 或者以上二者的UV辐射下。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的第二次UV辐射曝 光包括将所述衬底暴露到范围从100纳米到600纳米的UV辐射下。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的第二次UV辐射曝 光包括将所述衬底暴露到范围从170纳米到240纳米的UV辐射下。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,在相同的处理室中执行所述 衬底的第一次UV辐射曝光以及所述衬底的第二次UV辐射曝光。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述衬底的第一次UV辐射 曝光包括将所述衬底暴露到处于第一UV波长范围的UV辐射下,并且所 述衬底的第二次UV辐射曝光包括将所述衬底暴露到处于第二UV波长范 围的UV辐射下。
17.根据权利要求1所述的方法,其中,所述牺牲层包括P(npMA-co- EGDA),并且其中,所述盖层包括多孔材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880112231.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造