[发明专利]包含有多晶半导体层的半导体元件

权利要求书

1.一种元件，

具有基板(2)，所述基板包括表面(3，4)，和

在所述表面(3，4)的至少一部分上具有的至少一个半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)，

其中，所述多晶层(6，12，13，15，16)包含多个散布的晶核(8)。

2.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述基板(2)由在温度为800℃和900℃之间时尺寸稳定的材料组成。

3.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述基板(2)由不锈钢、玻璃或者碳组成。

4.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述基板(2)为平板型或者薄膜型。

5.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述基板(2)由纺织物薄片构成。

6.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述基板(2)为长条型。

7.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，扩散阻挡层(5，11)夹设在所述基板(2)与直接相邻的所述半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)之间。

8.根据权利要求7所述的元件，其特征在于，所述扩散阻挡层(5，11)由钼构成。

9.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)包含硅，或锗，或硅与锗的混合物。

10.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)被掺杂成为p型导电或n型导电。

11.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述晶核(8)由与所述多晶半导体层(6，12，13，15，16)自身相同的材料组成。

12.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述晶核(8)由与所述多晶半导体层(6，12，13，15，16)自身不同的另一种半导体材料组成。

13.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述晶核(8)为锗粒子或者硅粒子。

14.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述晶核(8)的粒子尺寸在100nm与10000nm之间，优选在500nm与2000nm之间的范围内，更优选在700nm与1400nm之间。

15.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述元件(1，10)包括互相堆叠的且具有不同类型导电率的至少两个半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)。

16.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，在朝向远离所述基板(2)且距所述基板(2)最远的所述半导体层(13，16)的侧面上设置有不具备半导体特性的导光且导电层(14，17)。

17.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述基板(2)是平的且具有两个平坦侧面，其中两个所述侧面(3，4)上均设有至少一个半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)，所述多晶层(6，12，13，15，16)包括散布的晶核(8)。

18.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述晶核(8)的密度是均匀的且高于所述半导体材料的多晶层(6，12，13，15，16)的限度。

19.一种用于生产权利要求1所述元件的方法，其中，向所述基板(2)涂敷悬浮液，所述悬浮液由晶核(8)及液态或者气态形式的流体组成，所述流体保持想要的半导体材料化学连接，其中在向所述基板(2)涂敷喷雾剂或胶状液之后对形成的所述层(6，12，13，15，16)进行热处理，以便获得所述多晶层(6，12，13，15，16)。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述流体是硅烷，或锗烷，或硅烷与锗烷的混合物。

21.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述晶核(8)的粒子尺寸在100nm与10000nm之间，优选在500nm与2000nm之间的范围内，更有选在700nm与1400nm之间。

22.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述晶核(8)是从诸如锗或硅这些物质中选择的。