[发明专利]无铅导电组合物以及用于制造半导体装置的方法:焊剂材料

权利要求书

1.导电组合物，所述导电组合物包含：

a)导电银；

b)一种或多种焊剂材料，其中所述焊剂材料为无铅的；分散于

c)有机载体。

2.权利要求1的组合物，其中所述组合物包含按所述导电组合物的重量计0.5-13重量％的焊剂材料。

3.权利要求2的组合物，其中所述组合物包含按所述导电组合物的重量计1.5-5重量％的焊剂材料。

4.权利要求1的组合物，其中所述焊剂材料包括选自下列的一种或多种组分：ZnF₂、AgBi(PO₃)₄、AgZnF₃-AgF、LiZn(PO₃)₃、和Cu₃B₂O₆。

5.权利要求1的组合物，所述组合物还包含一种或多种含锌添加剂。

6.权利要求1的组合物，所述组合物还包含一种或多种玻璃料。

7.权利要求6的组合物，其中所述一种或多种玻璃料为所述总组合物的0-1重量％。

8.结构，所述结构包括：

(a)厚膜组合物，所述厚膜组合物包含：

a)导电银；

b)一种或多种焊剂材料，其中所述焊剂材料为无铅的；分散于

c)有机介质；

(b)一个或多个绝缘膜；

其中所述厚膜组合物在所述一个或多个绝缘膜上形成，并且其中，在焙烧时，所述有机介质被移除。

9.权利要求8的结构，其中所述一个或多个绝缘膜被所述组合物的组分穿透。

10.权利要求8的结构，所述结构还包括一个或多个半导体基板。

11.权利要求10的结构，其中所述结构为太阳能电池。

12.权利要求8的结构，其中所述绝缘膜包括选自下列的一种或多种组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。

13.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供一个或多个半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及厚膜组合物，其中所述厚膜组合物包含：a)导电银，b)一种或多种焊剂材料，其中所述焊剂材料为无铅的，分散于c)有机介质中，

(b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上，

(c)将所述厚膜组合物施加在所述半导体基板上的绝缘膜上，以及

(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物，

其中，在焙烧时，所述有机载体被移除，所述银和焊剂材料被烧结。