[发明专利]能形成致密硅质薄膜的含聚硅氮烷的组合物

权利要求书

1.一种含聚硅氮烷的组合物，包含：

聚硅氮烷化合物，

下式(A)或下式(B)表示的胺化合物：

(其中

R^A各自独立地表示氢或C₁-C₃烃基，并满足以下条件：连接到同一个氮原子上的两个R^A不同时是氢，

L¹和L²各自独立地表示-CH₂-、-NR^A1-(其中R^A1是氢或C₁-C₄烃基)或-O-，

p1和p3各自独立地是0～4的整数，

和

p2是1～4的整数)

(其中

R^B各自独立地表示氢或C₁-C₄烃基，和

q1和q2各自独立地是1～4的整数)，

以及

能溶解所述聚硅氮烷化合物和所述胺化合物的溶剂。

2.根据权利要求1的含聚硅氮烷的组合物，其中所述胺化合物选自下列化合物(A1)-(A5)和(B1)-(B2)：

3.根据权利要求1或2的含聚硅氮烷的组合物，其中所述溶剂包含(b)饱和烃化合物、(c)脂环烃化合物、(d)醚类或(e)酮类。

4.根据权利要求1～3任一项的含聚硅氮烷的组合物，其中所述聚硅氮烷化合物是全氢聚硅氮烷。

5.一种形成硅质薄膜的方法，其中将根据权利要求1～4任一项的含聚硅氮烷的组合物涂覆于衬底上，然后转变为硅质薄膜。

6.根据权利要求5的形成硅质薄膜的方法，其中在100℃或更低的温度和40～95％的相对湿度的条件下进行向硅质薄膜的转变。

7.一种根据权利要求5或6的方法形成的硅质薄膜。